一个半导体小问题求助！

一段线形非均匀掺杂的N型半导体  假设Nd(x)=x
要求稳态下的自建电场E(x)
一般都用扩散和漂移流相等求出E(x)，其中还用到了Einstein关系
我的问题是这个E(x)能否直接解Poisson方程得出来呢？ 假定施主全部离化
有没有办法写出每一点的净电荷密度

大部分的书上面好像都是直接解泊松方程的啊？