看看台湾人的翻译:英特爾45nm製程將採用全新high-k與金
时间：12-11
整理：3721RD
点击：
☆─────────────────────────────────────☆
kerk (hehe) 于 (Tue Jan 30 11:43:36 2007) 提到:
英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問世以來，電晶體技術的最大變革，可確保摩爾定律再延續到未來10年。」
代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
過去40年來，可持續減少厚度並改善電晶體效能的二氧化矽一直被於製作閘極電介質，然而，二氧化矽卻在65奈米之後遇到了瓶頸。英特爾表示，其65奈米製程已將二氧化矽閘極電介質厚度降低到1.2奈米(相當於5層原子)，但持續減少厚度卻導致了閘極電介質漏電增加，因此，該公司採用基於鉿(hafnium)的較厚high-k材料取代二氧化矽作為閘極電介質，將漏電量降低了10倍以上。
不過，英特爾也將在45奈米的內部互連管線上採用銅線與low-k電介質的搭配，以提升效能並降低耗電量。另外，英特爾也採用了新的設計規則與光罩技術，在45奈米製程中延用193奈米乾式微影技術，以提高成本優勢與易製性。
「若沒有採用high-k＋金屬閘，就無法實現這些效能改善，」Bohr說。由於倍增了電晶體數量，因此在首批Penryn處理器系列中，雙核心處理器內含電晶體數量達4億個，而四核心處理器則超過8億個。另外，英特爾也為新處理器配置了12MB的快取記憶體，以及50種全新Intel SSE4指令，以擴充多媒體與高效能運算應用性能。
作者：鄧榮惠 / 電子工程專輯
☆─────────────────────────────────────☆
kerk (hehe) 于 (Tue Jan 30 11:48:45 2007) 提到:
比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問
: 代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
: 降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
dtl (1:0主义) 于 (Tue Jan 30 13:46:46 2007) 提到:
这个一点也不奇怪
看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
这足以保证即使用干式193nm的光刻也能够获得足够的分辨率和工艺窗口
这个要建立在一个前提下，就是Intel的mask的制作技术领先两代于wafer制作
对于其他的工厂，immersion更为现实一点吧,
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
: 不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
: PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
BILLLINUX (老头) 于 (Tue Jan 30 14:34:29 2007) 提到:
这个回答专业
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
winzip (Windows下最流行的文件压缩和解压缩工具) 于 (Tue Jan 30 15:35:14 2007) 提到:
服
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Jan 30 17:25:58 2007) 提到:
你越来越专业了，可惜工资涨的太少。
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
dtl (1:0主义) 于 (Tue Jan 30 19:22:43 2007) 提到:
你。。。
又说我的痛处!
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你越来越专业了，可惜工资涨的太少。
☆─────────────────────────────────────☆
topfly (回家) 于 (Wed Jan 31 10:44:32 2007) 提到:
TI刚刚关了Dallas的kfab，已经不作45以后的工艺了
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問
: 代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
: 降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
BigCarrot (大萝卜1号) 于 (Wed Jan 31 13:17:14 2007) 提到:
找谁代工?
【 在 topfly (回家) 的大作中提到: 】
: TI刚刚关了Dallas的kfab，已经不作45以后的工艺了
☆─────────────────────────────────────☆
appleton (苹果牛) 于 (Wed Jan 31 23:45:43 2007) 提到:
用193dry来试验45的地方很多
intel和TSMC定位不一样,没法比的
intel的mask做的好,但对foudary来说,搞那么多贵mask成本太高
不如用immersion
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
: 不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
: PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737
kerk (hehe) 于 (Tue Jan 30 11:43:36 2007) 提到:
英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問世以來，電晶體技術的最大變革，可確保摩爾定律再延續到未來10年。」
代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
過去40年來，可持續減少厚度並改善電晶體效能的二氧化矽一直被於製作閘極電介質，然而，二氧化矽卻在65奈米之後遇到了瓶頸。英特爾表示，其65奈米製程已將二氧化矽閘極電介質厚度降低到1.2奈米(相當於5層原子)，但持續減少厚度卻導致了閘極電介質漏電增加，因此，該公司採用基於鉿(hafnium)的較厚high-k材料取代二氧化矽作為閘極電介質，將漏電量降低了10倍以上。
不過，英特爾也將在45奈米的內部互連管線上採用銅線與low-k電介質的搭配，以提升效能並降低耗電量。另外，英特爾也採用了新的設計規則與光罩技術，在45奈米製程中延用193奈米乾式微影技術，以提高成本優勢與易製性。
「若沒有採用high-k＋金屬閘，就無法實現這些效能改善，」Bohr說。由於倍增了電晶體數量，因此在首批Penryn處理器系列中，雙核心處理器內含電晶體數量達4億個，而四核心處理器則超過8億個。另外，英特爾也為新處理器配置了12MB的快取記憶體，以及50種全新Intel SSE4指令，以擴充多媒體與高效能運算應用性能。
作者：鄧榮惠 / 電子工程專輯
☆─────────────────────────────────────☆
kerk (hehe) 于 (Tue Jan 30 11:48:45 2007) 提到:
比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問
: 代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
: 降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
dtl (1:0主义) 于 (Tue Jan 30 13:46:46 2007) 提到:
这个一点也不奇怪
看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
这足以保证即使用干式193nm的光刻也能够获得足够的分辨率和工艺窗口
这个要建立在一个前提下，就是Intel的mask的制作技术领先两代于wafer制作
对于其他的工厂，immersion更为现实一点吧,
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
: 不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
: PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
BILLLINUX (老头) 于 (Tue Jan 30 14:34:29 2007) 提到:
这个回答专业
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
winzip (Windows下最流行的文件压缩和解压缩工具) 于 (Tue Jan 30 15:35:14 2007) 提到:
服
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Jan 30 17:25:58 2007) 提到:
你越来越专业了，可惜工资涨的太少。
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 这个一点也不奇怪
: 看Intel发布的SRAM的SEM照片来推断
: Intel应该是用Alternating PSM,double exposure来实现关键层的光刻的
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
dtl (1:0主义) 于 (Tue Jan 30 19:22:43 2007) 提到:
你。。。
又说我的痛处!
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你越来越专业了，可惜工资涨的太少。
☆─────────────────────────────────────☆
topfly (回家) 于 (Wed Jan 31 10:44:32 2007) 提到:
TI刚刚关了Dallas的kfab，已经不作45以后的工艺了
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 英特爾(Intel)上週首度披露了其45奈米製程技術細節，新製程將採用high-k材料製作電晶體閘極電介質，另外，電晶體閘極電極也將採用全新的金屬材料組合來製作。英特爾邏輯技術開發部資深研究院士Mark Bohr稱，這種high-k＋金屬閘的組合「是自1960年代多晶矽閘MOS電晶體問
: 代號「P1266」的45奈米製程預計今年下半年首度量產，據Bohr透露，新技術較前一代製程提升了近2倍的電晶體數量，開關功耗減小了30%；電晶體開關速度提升了20%，並減小5倍的源極-汲極漏電流，以改善電晶體耗電量。此外，新製程也減小了約10倍的閘極氧化層漏電流。
: 降低耗電量一直是邁入深次微米製程後晶片設計及製造的主要挑戰。在電晶體微縮過程中，當電晶體縮小到如原子般大小時，就會大幅增加耗電量與熱問題。
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
BigCarrot (大萝卜1号) 于 (Wed Jan 31 13:17:14 2007) 提到:
找谁代工?
【 在 topfly (回家) 的大作中提到: 】
: TI刚刚关了Dallas的kfab，已经不作45以后的工艺了
☆─────────────────────────────────────☆
appleton (苹果牛) 于 (Wed Jan 31 23:45:43 2007) 提到:
用193dry来试验45的地方很多
intel和TSMC定位不一样,没法比的
intel的mask做的好,但对foudary来说,搞那么多贵mask成本太高
不如用immersion
【 在 kerk (hehe) 的大作中提到: 】
: 比较彪悍的信息是intel还用193干式光刻做45nm.
: 不知道一直鼓吹浸润式光刻的TSMC作何感想?
: PS:据说一台浸润式光刻机的价格超过一架波音737