请教失调问题

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   ironstone99 (行天) 于  (Sun Nov  5 18:26:22 2006)  提到:
同样的N管和P管，为什么P管的失调电压会小？
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   emailgz (emailgz) 于  (Mon Nov  6 09:28:43 2006)  提到:
PMOS沟道的闪烁噪声小些，相对NMOS。另外对于采用NWell工艺的PMOS作为放大器输入级，虽然Gm小些，但是Nwell的之间的噪声隔离要好于共享的P衬底的噪声。
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【 在 ironstone99 (行天) 的大作中提到: 】
: 同样的N管和P管，为什么P管的失调电压会小？
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   windtauear (windtauear) 于  (Mon Nov  6 18:29:34 2006)  提到:
失调电压就是零频的1/f噪声,而PMOS管比NMOS管1/f噪声小不少,但是到底失调电压为什么小,好像记得是因为热载流子注入效应
的原因,有大牛解释一下吗?
【 在 emailgz (emailgz) 的大作中提到: 】
: PMOS沟道的闪烁噪声小些，相对NMOS。另外对于采用NWell工艺的PMOS作为放大器输入级，虽然Gm小些，但是Nwell的之间的噪声隔离要好于共享的P衬底的噪声。
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   seaskyyuhan (海天一色) 于  (Mon Nov  6 19:44:54 2006)  提到:
经典的理论是P管的MISMATCH小,但对.18以下的当代工艺,看FOUNDRY的工艺文件中MS都是N管要好,尤其是DEEP NWELL的NMOS
【 在 ironstone99 (行天) 的大作中提到: 】
: 同样的N管和P管，为什么P管的失调电压会小？
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   dyandwanzi (需要么) 于  (Mon Nov  6 21:59:05 2006)  提到:
这个是为什么呢，工艺都是一样的吧
【 在 seaskyyuhan (海天一色) 的大作中提到: 】
: 经典的理论是P管的MISMATCH小,但对.18以下的当代工艺,看FOUNDRY的工艺文件中MS都是N管要好,尤其是DEEP NWELL的NMOS
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   emailgz (emailgz) 于  (Tue Nov  7 11:27:26 2006)  提到:
一种解释是： PMOS沟道的空穴载流子位于Si－SiO2沟道表面的下方，而引起闪烁噪声的悬挂键集中在Si－SiO2沟道表面，相遇的俘获概率较少。但NMOS的电子载流子位于Si－SiO2沟道表面，相遇俘获的概率较大。
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【 在 windtauear (windtauear) 的大作中提到: 】
: 失调电压就是零频的1/f噪声,而PMOS管比NMOS管1/f噪声小不少,但是到底失调电压为什么小,好像记得是因为热载流子注入效应
: 的原因,有大牛解释一下吗?