请问版上有人对硅片热氧化工艺比较熟悉？
时间：12-11
整理：3721RD
点击：
想在硅片上通过干氧化的办法生成一层几纳米厚的二氧化硅层，理论上可以达到的最小百度是多少？
理论上几个原子层都行把……
实际上设备是决定因素，如果是做cmos的实验线，一般15~20nm吧
至于工业级别的线，可能能到几纳米吧
furnace里长2nm左右就差不多到极限了。RTP里长过1.5nm的。
那些几十nm工艺的栅氧怎么长得?
应用材料的chamber用ISSG的方法可以长10A（也就是1nm）的SIO2.
现在普遍都用ISSG
但是TSMC就是牛，90nm技术的oxide都仍然坚持用furnace
65据说也是
极限，不做出来，谁知道，讲了多少年物理极限了
现在的oxide，要是过去看起来，根本就是不可能