die的面积有最大限制么？
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Mon Aug 27 17:27:03 2007) 提到:
请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
增加芯片的集成度？
限制的理由是什么？成品率？晶圆的利用率？版图尺寸？
多谢指教 :)
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totowo (托托巫) 于 (Mon Aug 27 17:43:44 2007) 提到:
我记得光照的mask是有大小限制的
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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fourrivers (人之初性本善) 于 (Mon Aug 27 17:57:44 2007) 提到:
我觉得成品率是第一个瓶颈吧，其他因素的极限可能还好说。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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dtl (1:0主义) 于 (Mon Aug 27 18:04:29 2007) 提到:
有限制的，我起个头，别人来补充吧
1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 00:09:13 2007) 提到:
太感谢了
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: : :
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
: 3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
这个我最感兴趣，能详细说一下“关键缺陷”都有什么么？单晶各向异性导致的工艺缺陷？
: 4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
每曝光一次效率也越低是什么意思？面积大了同一个晶圆曝光次数不是减少么？
:
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: 【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: : 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: : 增加芯片的集成度？
: : ...................
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: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 192.146.1.254]
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dtl (1:0主义) 于 (Tue Aug 28 03:04:37 2007) 提到:
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : :
: 太感谢了
: 【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: : : : : :
: : 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: : 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
不存在换这一说，因为根本就没有可以替代的方案，除非整个工业界看到强烈的经济驱动因素。。。
: : 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: 掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
现在工业界用的是150*150的光掩模，也就是6025（6英寸*6英寸，厚0.25英寸），这是工业界的标准，没有再增加的可选项。就这么大面积，你能放多少晶体管，就看你本事了。
btw,曾经工业界一度讨论过采用10：1的光刻技术来替代现有的4:1来减轻制造过程中光刻的难度和技术压力，可是也就是说说而已。那个10:1的方案看起来问题也是一大堆，而且不经济合算。
: : 3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
: 这个我最感兴趣，能详细说一下“关键缺陷”都有什么么？单晶各向异性导致的工艺缺陷？
制造过程的各种不完美：灰尘和颗粒，线条的断裂和桥接，接触孔没打开，硅化物的穿通，光刻胶的剥离和残留，。。。。。。。太多太多了。。。。。世界是不完美的。。。
: : 4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
: 每曝光一次效率也越低是什么意思？面积大了同一个晶圆曝光次数不是减少么？
这么说吧，你的芯片面积越大，一片硅片也就只能切出来更少的芯片去卖，再加上die的面积越大，本身成品率也越低，能去卖得die就更少了。。。。
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: : 【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : : 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: : : 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: : : 增加芯片的集成度？
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: 再一次翻动所有记忆 再一次靠近迷人的你 不知不觉之中我又弄脏了自己 再次忘记我曾
: 为你恐惧 又可以拥抱你的躯体 又可以接触你的秘密 不知不觉之中我又开始了游戏 又能
: 再次满足所谓空虚 就象快乐天使走进我的梦 于是孤独的心又有了冲动
: 多少次的梦想把你留在身旁 你却含着眼泪说你就要飞
: 匆匆结束短暂的快乐 重新走进无边的寂寞 难道只有现在才是我
: 苦苦忍受欲望的折磨 透过云雾望穿了银河 猜不透你要向哪里坠落
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jiangfire (顶天立地) 于 (Tue Aug 28 10:20:16 2007) 提到:
一层mask3万刀吧，65nm
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 太感谢了
: 想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
: 掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 14:58:20 2007) 提到:
版上大牛真多啊
还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
再有，对于特殊的芯片，比如CMOS摄像或者CCD这种玩意儿，有没有什么附加的限制？
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 不存在换这一说，因为根本就没有可以替代的方案，除非整个工业界看到强烈的经济驱动因素。。。
: 现在工业界用的是150*150的光掩模，也就是6025（6英寸*6英寸，厚0.25英寸），这是工业界的标准，没有再增加的可选项。就这么大面积，你能放多少晶体管，就看你本事了。
: btw,曾经工业界一度讨论过采用10：1的光刻技术来替代现有的4:1来减轻制造过程中光刻的难度和技术压力，可是也就是说说而已。那个10:1的方案看起来问题也是一大堆，而且不经济合算。
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:02:39 2007) 提到:
cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
35.8*23.9
科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是80.64*80.64,军用级
一片100wrmb,禁运
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 版上大牛真多啊
: 还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
: 最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:10:08 2007) 提到:
呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
还是说只要有钱，想做多大做多大？
或者说，如果技术上有突破的话，大幅面芯片可以实现，但是近几十年内
不可能？就象摩尔定律一样？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
: 32*24
: 科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是96*96,军用级
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:10:56 2007) 提到:
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
: 35.8*23.9
: 科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是80.64*80.64,军用级
~~~~~这个单位是毫米？
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:19:15 2007) 提到:
我说得这个是9216*9216像素的,现成可以买到,不是实验室玩玩的东西
作大主要是光刻机的视场大小和掩模的问题吧,波长跟线宽有关系,作大
又不一定用小线宽
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
: 这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
: 我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:19:30 2007) 提到:
毫米
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: ~~~~~这个单位是毫米？
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:21:50 2007) 提到:
只要光刻机可以暴更大的范围,成品率可以接受就会有更大的出现
不过以目前一般的应用看来,成像器件作那么大似乎太...没镜头配的上
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
: 这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
: 我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:22:18 2007) 提到:
呵呵，明白了
你说的这个是CMOS的？
如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 我说得这个是9216*9216像素的,现成可以买到,不是实验室玩玩的东西
: 作大主要是光刻机的视场大小和掩模的问题吧,波长跟线宽有关系,作大
: 又不一定用小线宽
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:23:54 2007) 提到:
呵呵，国外天文台的镜子通常都是几米大的，我想知道他们用的CCD是怎么做出来的:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 只要光刻机可以暴更大的范围,成品率可以接受就会有更大的出现
: 不过以目前一般的应用看来,成像器件作那么大似乎太...没镜头配的上
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:24:20 2007) 提到:
这个大小的象元很easy,这么大的尺寸估计你买不到,算算好像是3000w像素左右
从像素来说不算变态,自己作ccd我劝你放弃这个想法...
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，明白了
: 你说的这个是CMOS的？
: 如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:26:06 2007) 提到:
天文台的东西都是拿到funding专门订做的,找nasa JPL,dalsa,etc.
不在乎钱
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，国外天文台的镜子通常都是几米大的，我想知道他们用的CCD是怎么做出来的:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:28:02 2007) 提到:
肯定不是自己做啊，但是我想知道有没有公司能做得出来？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这个大小的象元很easy,这么大的尺寸估计你买不到,算算好像是3000w像素左右
: 从像素来说不算变态,自己作ccd我劝你放弃这个想法...
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:29:38 2007) 提到:
这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 肯定不是自己做啊，但是我想知道有没有公司能做得出来？
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:31:53 2007) 提到:
哦。明白啦
多谢多谢
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
: 直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:34:41 2007) 提到:
对了，你说的这种CCD岂不是超过了die最大加工尺寸限制了？他们怎么做出来的啊？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
: 直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:35:31 2007) 提到:
用的光刻机不是普通的或者拼接光刻吧,我想,具体加工我不太了解
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 对了，你说的这种CCD岂不是超过了die最大加工尺寸限制了？他们怎么做出来的啊？
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moteror (天外飞石) 于 (Tue Aug 28 15:50:59 2007) 提到:
长知识了，谢谢
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:53:06 2007) 提到:
非常感谢 :)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 用的光刻机不是普通的或者拼接光刻吧,我想,具体加工我不太了解
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hwzhwz (无) 于 (Tue Aug 28 16:41:47 2007) 提到:
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，
那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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Abzero (hehe) 于 (Tue Aug 28 20:28:28 2007) 提到:
一般认为硅片面积越大，在同样成品率的情况下，会出更多的管子，
减少了流片的批次，可以大大节约成本，所以主流工艺是把硅片
做的越大越好，现在不是研究更大尺寸的硅片么
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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Abzero (hehe) 于 (Tue Aug 28 20:29:25 2007) 提到:
基本就是Step投影光刻，DUV浸透式的
【 在 hwzhwz (无) 的大作中提到: 】
: 那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
: 所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:40:44 2007) 提到:
俺们讨论光刻技术对die的尺寸影响，是限定在CD小于1um的情况下的。超过1um，Mask Aligner就行了。甚至有1:1的投影光刻也有。
光刻技术对die尺寸的影响，根本上是因为在对应的线宽下，没有办法做出质量足够好的镜头。说白了还是成本问题。什么是工业标准？工业标准就是先进技术和成本妥协后的结果。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，明白了
: 你说的这个是CMOS的？
: 如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
: ...................
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:45:48 2007) 提到:
把成品率那一条去掉，就差不多对了。
【 在 Abzero (hehe) 的大作中提到: 】
: 一般认为硅片面积越大，在同样成品率的情况下，会出更多的管子，
: 减少了流片的批次，可以大大节约成本，所以主流工艺是把硅片
: 做的越大越好，现在不是研究更大尺寸的硅片么
: ...................
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:52:31 2007) 提到:
1.应该是step&scanner，步进扫描投影光刻。
2.ArF浸没式光刻，是针对45nm以下工艺的，不是针对12寸wafer的。两个概念。06年之前没有12寸的厂使用浸没式光刻机。
【 在 Abzero (hehe) 的大作中提到: 】
: 基本就是Step投影光刻，DUV浸透式的
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 00:11:49 2007) 提到:
我用比较无赖的方式来回答你。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : :
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
没有限制，看你要干吗用，合算不。LCD就是例子，尽管它不是硅。
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
可以，问题还是成本。但对于能否增加集成度来说就不见得。因为半导体工艺本身就有很多趋势。比如，我肉眼见过的最大的芯片是6"，我说的不是太阳能电池板，我说的是GBIT晶闸管，这种器件本来就是越大约好。同样的还有mems的器件，有些人想让它大些，有些人想让它小。
: 限制的理由是什么？成品率？晶圆的利用率？版图尺寸？
你自己已经觉得有限制了，所以思路就死了:)
你说的几个理由非常好，但是通通都是成本问题，有些是工艺本身的成本，比如说成品率；有些是产业成本，比如说标准化。你既然能想到成品率，那就是从产业角度考虑问题，而成本恰恰是产业角度的根本，想不通的时候就往这上靠，一准儿对。
如果是从技术角度考虑，那么就请记住“一切皆有可能”，我们需要认清的只是哪里暂时不可能:)
: 多谢指教 :)
指教谈不上，暑假党的最后疯狂:)
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: --
: 孔子围于陈蔡之间,七日不火食.大公任往吊之,曰:子几死乎?予尝言不死之道.东海有鸟,其名曰意怠.其为鸟也,翂失而似无能;引援而飞,迫胁而栖;进不敢为前,退不敢为后;食不敢先尝,必取其绪.是故其行列不斥,而外人卒不得害,是以免于患.直木先伐,甘井先竭.子其意者饰知以惊愚,修身以明汙,昭昭乎如揭日月而行,故不免也.昔吾闻之大成之人曰:自伐者无功,功成者堕,名成者亏.孰能去功与名而还与众人!道流而不明居,得行而不名处;纯纯常常,乃比于狂;削迹捐势,不为功名.是故无责于人,人亦无责焉.至人不闻,子何喜哉!
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: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 221.221.157]
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 00:17:06 2007) 提到:
你技术是越来越好了，可脑瓜子越来越死了。你要是再不能跳出来看问题，这mm可咋泡啊:(
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:43:29 2007) 提到:
首先，硅片的大小和芯片的大小不是一个概念
硅片是wafer,芯片是die
这个没法换句话说
wafer是越大越好
生产12寸和8寸的一片wafer，所消耗材料和时间都差不多
但是产量却大了一倍，
而且往往12寸机台成品率更高
所以，wafer大了可以节省成本
但为什么要把Die做大呢？
不减小光刻工艺尺寸的话
Device不变小，Interconnect不变短，速度不会明显提高
这样的单纯提高芯片面积有什么意义呢？
而且把Die作大，会降低yield
往饼干上撒芝麻，当然是大饼干上芝麻更多
生产线上各种污染，各种偶然因素，
会在wafer上形成defect
有defect的Die就废了
Die越大，废掉的概率越高
同样条件下
Die大的一片wafer要比Die小的wafer贵很多
因为对工艺污染的要求提高很多
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:46:48 2007) 提到:
如果是为了做CCD而增大面积
为什么不采用CCD阵列的手段而非得做那么大一个CCD呢？
成品率低，还得让光刻机的厂商新设计机器吧
技术发展到今天，每一个进步都已经不那么容易了
限制因素很多，每提高一步，那就是大把的钱往里砸
能用优化的策略，就不要对生产工艺提过于苛刻的要求
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 版上大牛真多啊
: 还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
: 最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:49:41 2007) 提到:
分块，步进
好像在大纸上盖很多章，一个一个盖
【 在 hwzhwz (无) 的大作中提到: 】
: 那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
: 所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
☆─────────────────────────────────────☆
report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Wed Aug 29 13:43:39 2007) 提到:
CCD阵列 会造成 图像 中间出现 空白区域
【 在 appleton (苹果牛) 的大作中提到: 】
: 如果是为了做CCD而增大面积
: 为什么不采用CCD阵列的手段而非得做那么大一个CCD呢？
: 成品率低，还得让光刻机的厂商新设计机器吧
: ...................
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dtl (1:0主义) 于 (Wed Aug 29 18:57:54 2007) 提到:
汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你技术是越来越好了，可脑瓜子越来越死了。你要是再不能跳出来看问题，这mm可咋泡啊:(
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 23:31:41 2007) 提到:
没错，其实楼主的问题已经没有实际意义了。
因为SIP，SOP，3D packaging正在如火如荼的展开，die的水平尺寸已经失去意义了，现在要问的是呢的die到底能叠多少层，限制是什么？
这个够急转弯的吧:)
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 00:17:46 2007) 提到:
呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 没错，其实楼主的问题已经没有实际意义了。
: 因为SIP，SOP，3D packaging正在如火如荼的展开，die的水平尺寸已经失去意义了，现在要问的是呢的die到底能叠多少层，限制是什么？
: 这个够急转弯的吧:)
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Thu Aug 30 00:24:06 2007) 提到:
我相信通过光学系统的设计以及图像处理的手段
这个问题肯定是可以解决的
卫星照片都可以无缝衔接
天文望远镜阵列的图像也可以无缝衔接
CCD阵列不应该不能实现
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: CCD阵列 会造成 图像 中间出现 空白区域
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Thu Aug 30 02:17:55 2007) 提到:
你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
由于有微透镜的存在，只要你愿意花成本，用透镜来控制，做到无缝拼接也是可能的。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
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BILLLINUX (老头) 于 (Thu Aug 30 04:22:34 2007) 提到:
呵呵，同补
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 12:00:03 2007) 提到:
呵呵，如果那么容易解决，就不用找大CCD了，拿小的拼呗
实际上，任何拼接CCD的解决方案都是有代价的。最好还是不拼
因为有些情况下，图象根本不能拼
卫星照片在这儿没有什么可比性。:P
【 在 appleton (苹果牛) 的大作中提到: 】
: 我相信通过光学系统的设计以及图像处理的手段
: 这个问题肯定是可以解决的
: 卫星照片都可以无缝衔接
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 12:01:43 2007) 提到:
我们用科研级CCD，滤镜是独立的，不放在CCD上。
微透镜的尺寸跟CCD拼接的接缝尺寸差太多了，不可能用这个实现无缝啊
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
: CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
: CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 12:56:57 2007) 提到:
微透镜是用来提高FF的不是用来用来控制成像的...
lz的要求比较特殊的,就算能作拼接估计都得花钱无数...口水啊,这活要不让我们
lab接了吧,那样我们就发了
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
由于有微透镜的存在，只要你愿意花成本，用透镜来控制，做到无缝拼接也是可能的。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 12:59:20 2007) 提到:
他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
整片的波段选通玻璃吧
另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
一个
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 我们用科研级CCD，滤镜是独立的，不放在CCD上。
: 微透镜的尺寸跟CCD拼接的接缝尺寸差太多了，不可能用这个实现无缝啊
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Thu Aug 30 13:24:21 2007) 提到:
lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
: 整片的波段选通玻璃吧
: 另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 13:33:25 2007) 提到:
因为不能做得再复杂了,毕竟只是覆盖在pixel上的一个小镜片而已,从成像上来说
那么小的镜片不可能做出你要求的拼接效果,镜头大小怎么也得跟sensor可比才有成像效果
反正microlens array的思路纯是为了提高Fill Factor
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:15:15 2007) 提到:
nod
我见过像素上的微透镜
那东西从制作工艺上说，就是把一块玻璃或者塑料按像素边界开好槽，
然后加热到微熔，让材料利用表面张力自己形成透镜。所以用这个方法
来形成足以覆盖两个CCD之间的接缝是不可能的。:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
: 整片的波段选通玻璃吧
: 另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:15:58 2007) 提到:
这活儿我们都拿不下来啊，每年多少人都指着CCD拼接吃饭呢。
//:D
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 微透镜是用来提高FF的不是用来用来控制成像的...
: lz的要求比较特殊的,就算能作拼接估计都得花钱无数...口水啊,这活要不让我们
: lab接了吧,那样我们就发了
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:18:12 2007) 提到:
异型微透镜是可以加工出来的，日本那种六边型像元CCD用的应该就是。
但是CCD之间的接缝比像元的物理尺寸大太多了，微透镜又是紧贴在像元
上，恐怕没法实现
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:19:40 2007) 提到:
如果从宏观开口率的角度去看，倒是可以每个CCD前边儿加一个
透镜，但是那样引入的问题恐怕比解决的问题还多 :P
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 因为不能做得再复杂了,毕竟只是覆盖在pixel上的一个小镜片而已,从成像上来说
: 那么小的镜片不可能做出你要求的拼接效果,镜头大小怎么也得跟sensor可比才有成像效果
: 反正microlens array的思路纯是为了提高Fill Factor
: ...................
report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Mon Aug 27 17:27:03 2007) 提到:
请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
增加芯片的集成度？
限制的理由是什么？成品率？晶圆的利用率？版图尺寸？
多谢指教 :)
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totowo (托托巫) 于 (Mon Aug 27 17:43:44 2007) 提到:
我记得光照的mask是有大小限制的
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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fourrivers (人之初性本善) 于 (Mon Aug 27 17:57:44 2007) 提到:
我觉得成品率是第一个瓶颈吧，其他因素的极限可能还好说。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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dtl (1:0主义) 于 (Mon Aug 27 18:04:29 2007) 提到:
有限制的，我起个头，别人来补充吧
1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 00:09:13 2007) 提到:
太感谢了
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: : :
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
: 3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
这个我最感兴趣，能详细说一下“关键缺陷”都有什么么？单晶各向异性导致的工艺缺陷？
: 4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
每曝光一次效率也越低是什么意思？面积大了同一个晶圆曝光次数不是减少么？
:
:
: 【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: : 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: : 增加芯片的集成度？
: : ...................
:
: --
:
: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 192.146.1.254]
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dtl (1:0主义) 于 (Tue Aug 28 03:04:37 2007) 提到:
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : :
: 太感谢了
: 【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: : : : : :
: : 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: : 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
不存在换这一说，因为根本就没有可以替代的方案，除非整个工业界看到强烈的经济驱动因素。。。
: : 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: 掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
现在工业界用的是150*150的光掩模，也就是6025（6英寸*6英寸，厚0.25英寸），这是工业界的标准，没有再增加的可选项。就这么大面积，你能放多少晶体管，就看你本事了。
btw,曾经工业界一度讨论过采用10：1的光刻技术来替代现有的4:1来减轻制造过程中光刻的难度和技术压力，可是也就是说说而已。那个10:1的方案看起来问题也是一大堆，而且不经济合算。
: : 3。从制造来说，die的面积越大，成品率越低。因为更有可能被一些关键缺陷来影响。这个也是die在做大之后必须面临的挑战
: 这个我最感兴趣，能详细说一下“关键缺陷”都有什么么？单晶各向异性导致的工艺缺陷？
制造过程的各种不完美：灰尘和颗粒，线条的断裂和桥接，接触孔没打开，硅化物的穿通，光刻胶的剥离和残留，。。。。。。。太多太多了。。。。。世界是不完美的。。。
: : 4。还有，die的面积越大，占用的光掩模面积越大，每曝光一次的效率也就越低，相对的产能也就越低，成本也就增加，这个也是要主要考虑的问题
: 每曝光一次效率也越低是什么意思？面积大了同一个晶圆曝光次数不是减少么？
这么说吧，你的芯片面积越大，一片硅片也就只能切出来更少的芯片去卖，再加上die的面积越大，本身成品率也越低，能去卖得die就更少了。。。。
:
: :
: :
: : 【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : : 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: : : 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: : : 增加芯片的集成度？
: : : ...................
: :
: : --
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: : ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 192.146.1.254]
:
:
: --
: 再一次翻动所有记忆 再一次靠近迷人的你 不知不觉之中我又弄脏了自己 再次忘记我曾
: 为你恐惧 又可以拥抱你的躯体 又可以接触你的秘密 不知不觉之中我又开始了游戏 又能
: 再次满足所谓空虚 就象快乐天使走进我的梦 于是孤独的心又有了冲动
: 多少次的梦想把你留在身旁 你却含着眼泪说你就要飞
: 匆匆结束短暂的快乐 重新走进无边的寂寞 难道只有现在才是我
: 苦苦忍受欲望的折磨 透过云雾望穿了银河 猜不透你要向哪里坠落
:
:
: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 123.114.66]
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jiangfire (顶天立地) 于 (Tue Aug 28 10:20:16 2007) 提到:
一层mask3万刀吧，65nm
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 太感谢了
: 想突破这个限制就得换光刻机？成本大概在什么量级？
: 掩膜的面积再增加的话成本急剧增大么？
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 14:58:20 2007) 提到:
版上大牛真多啊
还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
再有，对于特殊的芯片，比如CMOS摄像或者CCD这种玩意儿，有没有什么附加的限制？
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 不存在换这一说，因为根本就没有可以替代的方案，除非整个工业界看到强烈的经济驱动因素。。。
: 现在工业界用的是150*150的光掩模，也就是6025（6英寸*6英寸，厚0.25英寸），这是工业界的标准，没有再增加的可选项。就这么大面积，你能放多少晶体管，就看你本事了。
: btw,曾经工业界一度讨论过采用10：1的光刻技术来替代现有的4:1来减轻制造过程中光刻的难度和技术压力，可是也就是说说而已。那个10:1的方案看起来问题也是一大堆，而且不经济合算。
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:02:39 2007) 提到:
cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
35.8*23.9
科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是80.64*80.64,军用级
一片100wrmb,禁运
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 版上大牛真多啊
: 还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
: 最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:10:08 2007) 提到:
呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
还是说只要有钱，想做多大做多大？
或者说，如果技术上有突破的话，大幅面芯片可以实现，但是近几十年内
不可能？就象摩尔定律一样？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
: 32*24
: 科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是96*96,军用级
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:10:56 2007) 提到:
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: cmos好像没作那么大的吧,除非你想作canon那种全画幅单反用成像器件,好像是
: 35.8*23.9
: 科学用ccd有大的变态的,比如仙童卖的1亿像素ccd,我记得尺寸是80.64*80.64,军用级
~~~~~这个单位是毫米？
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:19:15 2007) 提到:
我说得这个是9216*9216像素的,现成可以买到,不是实验室玩玩的东西
作大主要是光刻机的视场大小和掩模的问题吧,波长跟线宽有关系,作大
又不一定用小线宽
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
: 这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
: 我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:19:30 2007) 提到:
毫米
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: ~~~~~这个单位是毫米？
☆─────────────────────────────────────☆
leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:21:50 2007) 提到:
只要光刻机可以暴更大的范围,成品率可以接受就会有更大的出现
不过以目前一般的应用看来,成像器件作那么大似乎太...没镜头配的上
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我知道的科研级CCD有8192x8192的，更大的还在研制中（国外）
: 这么大规模的通常要分成几个区域并行读出，非常变态
: 我想知道的是，如果把CCD再做大，有没有什么类似光刻波长这样的纯粹物理限制？
: ...................
☆─────────────────────────────────────☆
report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:22:18 2007) 提到:
呵呵，明白了
你说的这个是CMOS的？
如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 我说得这个是9216*9216像素的,现成可以买到,不是实验室玩玩的东西
: 作大主要是光刻机的视场大小和掩模的问题吧,波长跟线宽有关系,作大
: 又不一定用小线宽
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:23:54 2007) 提到:
呵呵，国外天文台的镜子通常都是几米大的，我想知道他们用的CCD是怎么做出来的:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 只要光刻机可以暴更大的范围,成品率可以接受就会有更大的出现
: 不过以目前一般的应用看来,成像器件作那么大似乎太...没镜头配的上
☆─────────────────────────────────────☆
leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:24:20 2007) 提到:
这个大小的象元很easy,这么大的尺寸估计你买不到,算算好像是3000w像素左右
从像素来说不算变态,自己作ccd我劝你放弃这个想法...
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，明白了
: 你说的这个是CMOS的？
: 如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:26:06 2007) 提到:
天文台的东西都是拿到funding专门订做的,找nasa JPL,dalsa,etc.
不在乎钱
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，国外天文台的镜子通常都是几米大的，我想知道他们用的CCD是怎么做出来的:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:28:02 2007) 提到:
肯定不是自己做啊，但是我想知道有没有公司能做得出来？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这个大小的象元很easy,这么大的尺寸估计你买不到,算算好像是3000w像素左右
: 从像素来说不算变态,自己作ccd我劝你放弃这个想法...
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:29:38 2007) 提到:
这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 肯定不是自己做啊，但是我想知道有没有公司能做得出来？
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:31:53 2007) 提到:
哦。明白啦
多谢多谢
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
: 直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:34:41 2007) 提到:
对了，你说的这种CCD岂不是超过了die最大加工尺寸限制了？他们怎么做出来的啊？
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 这不上面给了一个公司做得么,不过那个对大陆禁运啊,要是真的钱非常多
: 直接联系dalsa这种公司,咨询定制呗
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Tue Aug 28 15:35:31 2007) 提到:
用的光刻机不是普通的或者拼接光刻吧,我想,具体加工我不太了解
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 对了，你说的这种CCD岂不是超过了die最大加工尺寸限制了？他们怎么做出来的啊？
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moteror (天外飞石) 于 (Tue Aug 28 15:50:59 2007) 提到:
长知识了，谢谢
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Tue Aug 28 15:53:06 2007) 提到:
非常感谢 :)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 用的光刻机不是普通的或者拼接光刻吧,我想,具体加工我不太了解
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hwzhwz (无) 于 (Tue Aug 28 16:41:47 2007) 提到:
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，
那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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Abzero (hehe) 于 (Tue Aug 28 20:28:28 2007) 提到:
一般认为硅片面积越大，在同样成品率的情况下，会出更多的管子，
减少了流片的批次，可以大大节约成本，所以主流工艺是把硅片
做的越大越好，现在不是研究更大尺寸的硅片么
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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Abzero (hehe) 于 (Tue Aug 28 20:29:25 2007) 提到:
基本就是Step投影光刻，DUV浸透式的
【 在 hwzhwz (无) 的大作中提到: 】
: 那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
: 所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:40:44 2007) 提到:
俺们讨论光刻技术对die的尺寸影响，是限定在CD小于1um的情况下的。超过1um，Mask Aligner就行了。甚至有1:1的投影光刻也有。
光刻技术对die尺寸的影响，根本上是因为在对应的线宽下，没有办法做出质量足够好的镜头。说白了还是成本问题。什么是工业标准？工业标准就是先进技术和成本妥协后的结果。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，明白了
: 你说的这个是CMOS的？
: 如果我想要一块CCD的，比如60x60mm的，像元大小在10x10um左右，做得出来么？
: ...................
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:45:48 2007) 提到:
把成品率那一条去掉，就差不多对了。
【 在 Abzero (hehe) 的大作中提到: 】
: 一般认为硅片面积越大，在同样成品率的情况下，会出更多的管子，
: 减少了流片的批次，可以大大节约成本，所以主流工艺是把硅片
: 做的越大越好，现在不是研究更大尺寸的硅片么
: ...................
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Tue Aug 28 23:52:31 2007) 提到:
1.应该是step&scanner，步进扫描投影光刻。
2.ArF浸没式光刻，是针对45nm以下工艺的，不是针对12寸wafer的。两个概念。06年之前没有12寸的厂使用浸没式光刻机。
【 在 Abzero (hehe) 的大作中提到: 】
: 基本就是Step投影光刻，DUV浸透式的
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 00:11:49 2007) 提到:
我用比较无赖的方式来回答你。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: : :
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
没有限制，看你要干吗用，合算不。LCD就是例子，尽管它不是硅。
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
可以，问题还是成本。但对于能否增加集成度来说就不见得。因为半导体工艺本身就有很多趋势。比如，我肉眼见过的最大的芯片是6"，我说的不是太阳能电池板，我说的是GBIT晶闸管，这种器件本来就是越大约好。同样的还有mems的器件，有些人想让它大些，有些人想让它小。
: 限制的理由是什么？成品率？晶圆的利用率？版图尺寸？
你自己已经觉得有限制了，所以思路就死了:)
你说的几个理由非常好，但是通通都是成本问题，有些是工艺本身的成本，比如说成品率；有些是产业成本，比如说标准化。你既然能想到成品率，那就是从产业角度考虑问题，而成本恰恰是产业角度的根本，想不通的时候就往这上靠，一准儿对。
如果是从技术角度考虑，那么就请记住“一切皆有可能”，我们需要认清的只是哪里暂时不可能:)
: 多谢指教 :)
指教谈不上，暑假党的最后疯狂:)
:
: --
: 孔子围于陈蔡之间,七日不火食.大公任往吊之,曰:子几死乎?予尝言不死之道.东海有鸟,其名曰意怠.其为鸟也,翂失而似无能;引援而飞,迫胁而栖;进不敢为前,退不敢为后;食不敢先尝,必取其绪.是故其行列不斥,而外人卒不得害,是以免于患.直木先伐,甘井先竭.子其意者饰知以惊愚,修身以明汙,昭昭乎如揭日月而行,故不免也.昔吾闻之大成之人曰:自伐者无功,功成者堕,名成者亏.孰能去功与名而还与众人!道流而不明居,得行而不名处;纯纯常常,乃比于狂;削迹捐势,不为功名.是故无责于人,人亦无责焉.至人不闻,子何喜哉!
:
:
: ※ 来源:·水木社区 newsmth.net·[FROM: 221.221.157]
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 00:17:06 2007) 提到:
你技术是越来越好了，可脑瓜子越来越死了。你要是再不能跳出来看问题，这mm可咋泡啊:(
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 有限制的，我起个头，别人来补充吧
: 1。现在主流的光刻机，每一个exposure field的最大限制是26*33mm。所以，这个基本上就是物理上的限制了
: 2。这个尺寸对应在光掩模上的话，就是乘以4之后，104*132。现在用的光掩模是150*150mm的，所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:43:29 2007) 提到:
首先，硅片的大小和芯片的大小不是一个概念
硅片是wafer,芯片是die
这个没法换句话说
wafer是越大越好
生产12寸和8寸的一片wafer，所消耗材料和时间都差不多
但是产量却大了一倍，
而且往往12寸机台成品率更高
所以，wafer大了可以节省成本
但为什么要把Die做大呢？
不减小光刻工艺尺寸的话
Device不变小，Interconnect不变短，速度不会明显提高
这样的单纯提高芯片面积有什么意义呢？
而且把Die作大，会降低yield
往饼干上撒芝麻，当然是大饼干上芝麻更多
生产线上各种污染，各种偶然因素，
会在wafer上形成defect
有defect的Die就废了
Die越大，废掉的概率越高
同样条件下
Die大的一片wafer要比Die小的wafer贵很多
因为对工艺污染的要求提高很多
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 请教一下？硅片的最大面积有没有限制？
: 换句话说，可不可以无限制地把芯片做大，这样可以在不减小光刻工艺尺寸的情况下
: 增加芯片的集成度？
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:46:48 2007) 提到:
如果是为了做CCD而增大面积
为什么不采用CCD阵列的手段而非得做那么大一个CCD呢？
成品率低，还得让光刻机的厂商新设计机器吧
技术发展到今天，每一个进步都已经不那么容易了
限制因素很多，每提高一步，那就是大把的钱往里砸
能用优化的策略，就不要对生产工艺提过于苛刻的要求
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 版上大牛真多啊
: 还想请教一下，如果资金比较宽余，比如有十几个亿，可能突破die的
: 最大面积限制么？（我记得AMD一个厂好象得上百亿？）
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Wed Aug 29 07:49:41 2007) 提到:
分块，步进
好像在大纸上盖很多章，一个一个盖
【 在 hwzhwz (无) 的大作中提到: 】
: 那现在12寸（300mm） 得圆片都怎么光刻的？
: 所以看到，加上一些图形区周围的标记和各种功能区的话，这个场区基本上是利用了光掩模的面积
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Wed Aug 29 13:43:39 2007) 提到:
CCD阵列 会造成 图像 中间出现 空白区域
【 在 appleton (苹果牛) 的大作中提到: 】
: 如果是为了做CCD而增大面积
: 为什么不采用CCD阵列的手段而非得做那么大一个CCD呢？
: 成品率低，还得让光刻机的厂商新设计机器吧
: ...................
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dtl (1:0主义) 于 (Wed Aug 29 18:57:54 2007) 提到:
汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你技术是越来越好了，可脑瓜子越来越死了。你要是再不能跳出来看问题，这mm可咋泡啊:(
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Wed Aug 29 23:31:41 2007) 提到:
没错，其实楼主的问题已经没有实际意义了。
因为SIP，SOP，3D packaging正在如火如荼的展开，die的水平尺寸已经失去意义了，现在要问的是呢的die到底能叠多少层，限制是什么？
这个够急转弯的吧:)
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 00:17:46 2007) 提到:
呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 没错，其实楼主的问题已经没有实际意义了。
: 因为SIP，SOP，3D packaging正在如火如荼的展开，die的水平尺寸已经失去意义了，现在要问的是呢的die到底能叠多少层，限制是什么？
: 这个够急转弯的吧:)
: ...................
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appleton (苹果牛) 于 (Thu Aug 30 00:24:06 2007) 提到:
我相信通过光学系统的设计以及图像处理的手段
这个问题肯定是可以解决的
卫星照片都可以无缝衔接
天文望远镜阵列的图像也可以无缝衔接
CCD阵列不应该不能实现
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: CCD阵列 会造成 图像 中间出现 空白区域
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Thu Aug 30 02:17:55 2007) 提到:
你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
由于有微透镜的存在，只要你愿意花成本，用透镜来控制，做到无缝拼接也是可能的。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
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BILLLINUX (老头) 于 (Thu Aug 30 04:22:34 2007) 提到:
呵呵，同补
【 在 dtl (1:0主义) 的大作中提到: 】
: 汗。。。看来我得恶补脑筋急转弯了
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 12:00:03 2007) 提到:
呵呵，如果那么容易解决，就不用找大CCD了，拿小的拼呗
实际上，任何拼接CCD的解决方案都是有代价的。最好还是不拼
因为有些情况下，图象根本不能拼
卫星照片在这儿没有什么可比性。:P
【 在 appleton (苹果牛) 的大作中提到: 】
: 我相信通过光学系统的设计以及图像处理的手段
: 这个问题肯定是可以解决的
: 卫星照片都可以无缝衔接
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 12:01:43 2007) 提到:
我们用科研级CCD，滤镜是独立的，不放在CCD上。
微透镜的尺寸跟CCD拼接的接缝尺寸差太多了，不可能用这个实现无缝啊
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: 你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
: CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
: CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 12:56:57 2007) 提到:
微透镜是用来提高FF的不是用来用来控制成像的...
lz的要求比较特殊的,就算能作拼接估计都得花钱无数...口水啊,这活要不让我们
lab接了吧,那样我们就发了
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
你是想自己造呢？还是买？其实都是钱的问题。
CCD现在的象素尺寸最小的我见过4um的，线宽的化也就在um级别。所以光刻对于die的尺寸限制就没有了，主要是成品率和缺陷的问题，还有均匀性。其实就算线宽很细，用ebeam整片的写也没问题，就是多花钱嘛。
CCD做大，不仅仅难在die的缺陷和成品率，还取决于滤色片和微透镜。
由于有微透镜的存在，只要你愿意花成本，用透镜来控制，做到无缝拼接也是可能的。
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 呵呵，我主要关心CCD的die最大尺寸，所以叠层没什么意义。:)
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 12:59:20 2007) 提到:
他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
整片的波段选通玻璃吧
另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
一个
【 在 report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 的大作中提到: 】
: 我们用科研级CCD，滤镜是独立的，不放在CCD上。
: 微透镜的尺寸跟CCD拼接的接缝尺寸差太多了，不可能用这个实现无缝啊
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yswyx (不落的尘埃) 于 (Thu Aug 30 13:24:21 2007) 提到:
lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
: 整片的波段选通玻璃吧
: 另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
: ...................
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leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 于 (Thu Aug 30 13:33:25 2007) 提到:
因为不能做得再复杂了,毕竟只是覆盖在pixel上的一个小镜片而已,从成像上来说
那么小的镜片不可能做出你要求的拼接效果,镜头大小怎么也得跟sensor可比才有成像效果
反正microlens array的思路纯是为了提高Fill Factor
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:15:15 2007) 提到:
nod
我见过像素上的微透镜
那东西从制作工艺上说，就是把一块玻璃或者塑料按像素边界开好槽，
然后加热到微熔，让材料利用表面张力自己形成透镜。所以用这个方法
来形成足以覆盖两个CCD之间的接缝是不可能的。:)
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 他说得是CFA,就是每个像素一个小色块,后期作色彩插值处理,你说得应该是
: 整片的波段选通玻璃吧
: 另外微透镜跟拼接没什么关系的,microlen array也是直接作在像素上,一个像素
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:15:58 2007) 提到:
这活儿我们都拿不下来啊，每年多少人都指着CCD拼接吃饭呢。
//:D
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 微透镜是用来提高FF的不是用来用来控制成像的...
: lz的要求比较特殊的,就算能作拼接估计都得花钱无数...口水啊,这活要不让我们
: lab接了吧,那样我们就发了
: ...................
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:18:12 2007) 提到:
异型微透镜是可以加工出来的，日本那种六边型像元CCD用的应该就是。
但是CCD之间的接缝比像元的物理尺寸大太多了，微透镜又是紧贴在像元
上，恐怕没法实现
【 在 yswyx (不落的尘埃) 的大作中提到: 】
: lens array为什么不能做的再复杂点？当然了，如果能做成不同定向的lens，那拼接就成为可能了:)
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report (王二 原谅我这一生不羁放纵爱自由……) 于 (Thu Aug 30 14:19:40 2007) 提到:
如果从宏观开口率的角度去看，倒是可以每个CCD前边儿加一个
透镜，但是那样引入的问题恐怕比解决的问题还多 :P
【 在 leohart (leo (at) *百十载求是魂*) 的大作中提到: 】
: 因为不能做得再复杂了,毕竟只是覆盖在pixel上的一个小镜片而已,从成像上来说
: 那么小的镜片不可能做出你要求的拼接效果,镜头大小怎么也得跟sensor可比才有成像效果
: 反正microlens array的思路纯是为了提高Fill Factor
: ...................