SRAM型FPGA做ESD放电试验时会不会发生类似单粒子效应的配置存储器的翻转

如果对SRAM型FPGA 进行ESD试验，仅通过空气放电，不对引脚放电，电磁脉冲能否像单粒子一样使配置存储器（Configuration Memory）发生翻转呢?比如用ESD发生器做试验，用±15KV对市面上FPGA进行空气放电~

希望大家给点意见，集思广益。

理论上应该是高能粒子才能使SRAM翻转，高电压的ESD只能击穿PAD esd电路

   谢谢回复，就是不知道ESD的电场脉冲能不能影响到SRAM里面的MOS单元。