关于NAND FLASH Controller
NAND FLASH Controller
NAND FLASH控制器
我是一位在职者（北京），专业从事FPGA接口设计，有较多的空余时间，对FPGA有比较丰富的项目经验（6年）。
熟练使用Xilinx/Altera FPGA，熟悉NAND FLASH接口时序。
自行编写NAND FLASH Controller/控制器，可以以源代码（VHDL语言）或网表形式(提供使用手册)提供，功能包括：
1. NAND Flash物理接口时序：支持PAGE READ、PROGRAM PAGE、BLOCK ERASE、RESET、READ ID、READ STATUS、Set/Get Feature等命令集和相关时序
2. Nand Flash阵列的流水线管理：流水线化PROGRAM PAGE，使Nand Flash阵列的存储速度最大化；流水线管理NAND FLASH阵列的PAGE READ、BLOCK ERASE、RESET、READ ID等操作
3. Nand Flash阵列的坏块检测：检测NAND FLASH的原始出厂坏块
4. Nand Flash阵列的坏块管理：在Nand Flash阵列的PROGRAM PAGE和PAGE READ过程中，剔除NAND FLASH的坏块，产生有效的块地址
5. Nand Flash阵列的ECC：256 byte数据生成3 byte ECC编码，使用3 byte ECC编码能够纠正256 byte数据中的1个bit错误，检测2个bit以上的错误
NAND FLASH Controller自动进行坏块管理以及ECC纠错，坏块表可存储于FPGA内部RAM块或片外SRAM。
NAND FLASH控制器的用户接口友好，基本上都是DPRAM或FIFO接口，状态信号是I/O接口，易于使用。
此NAND FLASH控制器既可以适应简单的单片NAND FLASH应用，也可以适应NAND FLASH阵列应用，并且可以适应各种各样的NAND FLASH芯片型号。
8x8(8行8列:8个片选,64位数据总线) NAND FLASH阵列的存储速度可达380MB/S。
FPGA内部可以嵌入多个NAND FLASH控制器，每个控制器的存储速度可达380MB/S。如果嵌入4个NAND FLASH控制器，那么存储速度可达1520MB/S。
此NAND FLASH控制器多次在实际项目中使用，被证明稳定可靠。
如有NAND FLASH接口开发相关方面的技术合作，可随时联系我。
联系方式：fpga_coop@163.com。
牛人，你顺便把NAND FLASH的FTL一起做了，然后做出个U盘出来卖啊
这个东西还是有技术含量的，想当年我就是为了避免处理坏块这点，选用的CMOS的SPI FLASH，就只需要管读写就可以了。
老多地方都见这个哥们的帖子，牛人啊
我想问一下，既然做了坏块检测，还做ECC干嘛
每个控制器的存储速度可达380MB/S，神速啊！
niu bi zhe me li hai....
I think your performance data is ideal number, mutli-channel NAND flash controller is also need to consider
1. The protocol handshaking with CF/USB/SATA/PCI-E ......
2. Internal buffer size
3. CPU performance
4. System bus architecture.....
But I know most boss always push engineer to achieve the ideal performance value.
(What the unfair world~)
现在做controller的 这么牛啊，小编在哪个公司?
我看小编用过美光的flash芯片，冒昧请小编帮解决一下我个人的一点小疑问：
美光128Gb的NAND flash芯片（MT29F128G08AUCBB）文档中关于PROGRAM PAGE MULTI-PLANE一项的介绍并没有区分是同步和异步哪种工作模式，但文档最后却只给出了同步模式下的时序图。我想确认一下其异步工作模式下是否也支持PROGRAM PAGE MULTI-PLANE访问?
非常谢谢！
现在都用BCH做校验啦
Could some body provide details on synchronization ?
都是高手啊
镁光这个型号用的应该是onfi2或者3的接口标准把，那肯定是同步的了阿，怎么会异步呢
坏块检测和ECC是不同的。当在编程一个块中的第N个page时，page中的某个bit或某几个bit出现program错误，就将这个块的1到N-1个page复制到冗余块的相应page，数据缓存的数据就program到新块的第N个page。坏块就被替换了，并被标记。标记位可以检测坏块。
ECC是在读操作中，对nand读出数据进行验证，检验是否在编程，坏块替换时的复制，出现过错误。一定程度上可以修改错误。
坏块的错误是某位，某些位固定为高或低，不能编程为低，擦除为高。
ECC错误，是数据的某些位与要保存的数据不同。
可以把代码贴出来大家学习下啊
如果可以分享下代码那就好了，最近正在研究这个
我来打击一下小编，1：现在的NAND flash以TLC居多，扇区大小普遍1K byte，次之也是512Byte，以256byte为单位做纠错码浪费传输效率和纠错效率。2、MLC/TLC存储出错概率很大，你的纠错能力实在太弱没有可应用性，纠错能力涵盖8bit/1Kbyte, 24bit/1Kbyte，60bit/1Kbyte是基本要求。3、你的380Mbyte/s是指单片nand接口上的速度吗?数据可不能乱说，ONFI的toggle接口200M频率才能达到400MB/s的纯数据传输速率，即使你控制器能到这么快，PAD速度做不到200MHz也是白搭。
挺一下！