SDR,DDR的刷新操作

“刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢?因为预充电是对一个或所有 L-Bank 中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储  体中的数据。但与所有L-Bank预充电不同的是，这里的行是指所有L-Bank中地址相同的行，而预充电中各L-Bank中的  工作行地址并不是一定是相同的。”----这是我从论坛里共享的资料上看到的一段话。刷新操作一次对一行有效。按照上面的说法，假设一块SDRAM里有4个bank，每个bank有4096行，那么刷新周期的计算公式是64Ms/4096，而不是64Ms/(4096*4)罗?
跪求有这方面设计经验的大虾解答

一个sdram有4个bank，4个bank水平放置的话他们相同的row地址是连成一行的。也就是说一次auto_refresh可以同时刷新4个bank中一个row。
比如说4个bank里面都有row0~row4095，一次刷新就会同时刷新4个bank的row0或者rowx。
那么计算公式应该是64ms/row_num。row_num就是指这个sdram的row的数量，你用的是row0~row4095的，所以row_num应该为4096，也就是说64ms内应该刷新4096次。

预充电可以一次对一个bank操作，也可以一次对所有bank操作，无法对大于1个小与bank总数的bank同时进行操作，也就是说要么1个要么所有。
auto_refresh是对所有bank进行操作的。并且spec上已经说过了，在auto_refresh前应该对所有bank进行precharge。
反正很烦啦，仔细看文档吧。

预充电之前，该ROW数据并没有真正写入DDR里面，充电后才写入，而刷新是对已写入DDR的数据，电容进行充电。两者功能有区别吧

   刷新操作与预充电中重写的操作一样，都是用S-AMP先读再写。但为什么有预充电操作还要进行刷新呢?因为预充电是对一个或所有 L-Bank 中的工作行操作，并且是不定期的，而刷新则是有固定的周期，依次对所有行进行操作，以保留那些久久没经历重写的存储  体中的数据。

      感谢大虾。      大虾说得对，预充电与刷新操作在SDRAM里做的是一样的工作，既然预充电都可以4个bank一起回写数据，那么刷新也应该是可以的，只是预充电是认为设定对一个还是对所有bank的某一行进行操作，而刷新应该固定队所有bank的同一行进行操作。技术资料里没写明白，“刷新操作一次对一行有效”会让人产生歧义。
      随便问下大虾，我先在做的设计采用的是对所有bank进行时分复用操作，以提高读写速度，不知道是否已经有一些SDR SDRAM的IP可以支持这样的操作?

请问外部怎么判断SDR正在刷新中呢，SDR好像没有提供标志位。难道是通过计数器，每过64ms/row_num时间则判定正在刷新吗?哪有详细的资料，谢谢

   你上ISSI、镁光、现代他们的官网就有datasheet下载。你也可以上论坛搜索SDRAM的工作原理，还是讲得蛮仔细的。 SDR的刷新操作一次对所有bank的某一行有效，刷新操作一般占用系统时间9~10clk，这期间所有bank停止工作，你可以计数这9~10clk的时间，时间过了就可以进行其他操作，但是64MS后又必须对这一行进行刷新，不然他就会丢失数据，但是bank又不止一行，比如一个bank有4096行，那你64ms里面就要至少进行4096次的刷新，每次刷新都占用系统时间9~10clk 。多多交流。

不好意思。我说错了一点，刷新次数跟row 大小无关。row为2048的也是刷新4096次，我确认过etron的2048 row。
另外，我对sdram的工作原理不是很了解，现在也只是在学习阶段。实际上sdram的lmr、self_refresh、auto_refresh都是需要先对所有bank进行precharge才能进行的。有些公司进入power down模式也需要对所有bank进行precharge，但是有些就不需要。所以对于这些特殊模式，最好方法就是先precharge所有bank在进入就没问题了。
时分复用应该跟应用有关。我不知道你是用什么协议的，以及是怎么使用sdram的。但是如果你把每种应用放在不同bank，然后来回切换的话是很快的，因为你不用active n-read n-precharge n-active m-read m-precharge m....其中m和n属于同一个bank的不同row，active-to-precharge以及precharge-to-other command的时间大约为90ns，也就说说尽量不要在一个bank的2个row之间来回切换，否则效率极低。

另外你说的每次刷新时间占用9~10个clk是不准确的。因为你必须要先precharge所有bank，而如果你这个row才刚刚active的话你要precharge要等60ns，然后precharge要20ns，最后auto refresh要70ns，也就是说最快是70ns，最慢可能要150ns左右。所以如果你经常auto refresh的话这个延迟可能过大了。auto refresh规定的是相同row的2次刷新时间间隔最多为64ms。所以只能有2种方式，64ms/4096的时间刷新一次，或者每隔64ms对所有row刷新一遍。当然还有其他方法，不过比较复杂，并且极容易出错。

一般的ip都没有吧，不过我觉得这个实现起来比较简单，以前写过一个，大概2K代码左右。
厂家的ip只是在平均效率比较高而已，对于特殊的应用条件，还是自己写调度器，用厂家的phy比较好一些。

我的设计是对四个bank进行时分复用的，可以提高速度，特别是在换行操作比较多的情况下。至于你说的刷新占用时间，怪我没说清楚，我指的是刷新命令发出后占用的时间，多谢纠正，当然，如果读写操作是自带预充电的话，预充电就基本不会占用到多少时间了。还有我有一个不明白的地方，你说刷新次数不关row数，是不是指datasheet上写4096row/64ms，你就必须在64ms内至少刷4096次，而不用理会一个bank会有多少row，是这样理解吗?

   嗯，虽然只是SDR，但是也要跑到166MHz的工作频率，低端的FPGA不知道跑到这种频率，对设计的要求是否会比较高。逻辑设计总体框架已经规划好了，各模块的功能设计也基本完成，担心的还是无法跑到166MHz的工作频率，这个不能太依赖综合。我认为比较容易出问题的应该控制SDR的状态机，现阶段我我把初始化部分和平常操作部分分割为两个状态机，这个平常操作部分只出现9个状态，打算用独热编码写状态机。但是后期的板级调试好像也会消耗很多时间。不知是否一个月内能否完成这个接口设计，望赐教，多多指点。

简单的当然容易，如果只是简单读、写那很简单。关键是要兼顾高性能和高可靠性啊，另外还要看是跟什么协议通信有关。

    是的，我现在看到的所有2Mbit~512Mbit的sdram无论多少row，都是要求64ms内刷新4096，我不知道这个是不是标准。
读写操作自带precharge的话是个很糟糕的行为。首先，auto precharge等效于你read/write完自动发送precharge指令(虽然还是有差别），precharge自身要20ns，如果下一次读还是读当前row的话你还要重新active，active-to-read or write又要时间，这个时间大概又要50ns左右，你认为这个划算么?其次，micron的data sheet上说不要对一个row不停的active-precharge-active，这样会减少sdram的寿命。

   
   你说的很有道理，SDR的接口设计简单与否，还是要看你的接口协议。SDR的寿命方面我倒是没有考虑过。由于设计需求，我使用写操作带预充电，是用于频繁的换行，但不涉及对同一个row进行连续的ACT-PRE-ACT。

    频繁换row么?那你不如把地址映射改一下变成频繁换bank吧。另外一个row有256以上的column，一个column有8~32bit，你什么应用要频繁切换这么多BYTE?

   用于图像的90度翻转。写时序基本就是这样：ACT0,ACT1，ACT2，ACT3，WRA0，WRA1，WRA2，WRA3，    ,      ,ACT。读写的反向是互相垂直的，我使写操作是垂直方向，隔bank同行分别一个像素，一个如上面的写操作周期写入了四个数据；读操作周期选择fullpage操作。不知你所说的映射是否指这样的效果?

学习一下！

   看了一下没看懂，不过地址映射意思就是怎么样速度快，acitve次数和precharge次数最少就好了。没啥特别意思。

   嗯，那个顺序是错的。前面的行激活命令至少相差两个时钟周期。所以应该是这样：ACT0,NOP,ACT1，NOP,ACT2，NOP,ACT3.```见笑了。

有点感觉。

为什么在进行刷新过程中一定要先预充电呢