hspice求解sram静态噪声容限

hspice很久没用过了。一直都是用Spectre，SNM先仿读操作下（WL高电平）一边反相器的VTC，再仿另一边的VTC，将两条VTC的数据取出，用其他的软件如Origin作图，再量出SNM。
方法比较土，也不知道有没有其他简便方法。

very good

看看...

用SPECTRE软件，不过应该差不多，就是在cdl中加入两个噪声电压，然后在sp文件中，sweep该噪声电压值，直至存储单元原先存储的数据failed，该电压之前的那个电压值就是SNM

能不能搞得详细一点啊?

最近刚好研究了一下这个问题：
1。两个反相器对称：反相器两端电平相等时候测量DC扫描的值
2。不对称：参考Static-Noise Margin Analysis of MOS SRAM Cells. IEEE Journal of solid state circuits, Vol. Sc-22, No.5, October, 1987

LZ尝试用N-curve

之前刚好研究过，下面的是凭记忆写的，可能有错，但是思路没问题。
仿SNM的hspice语句：
m1 1 2 0 0 nmos
m2 1 2 vdd vdd pmos
m3 3 4 0 0 nmos
m4 3 4  vdd vdd pmos

.param delta=0
v1 1 2 dc=delta
v2 4 3 dc=delta
.dc delta 0 vdd step
.meas dc snm max v(2,3)

   您好，还是没有看懂您的代码，似乎是在反向器的输入输出端加电压源，然后做直流扫描，可以稍微详细的说一下思路么?