关于DDR3的读写操作，看看我的流程对吗？

最近简单调了一下KC705开发板上面的DDR3，型号是MT8JTF12864HZ-1G6；有时候加载程序后，发现读出数据不是写进去的，在这将我的操作思路说下，有弄过的说说哪块有问题：1.ip核的sys_clk_i给400M时钟，clk_ref_i给200M时钟；app_wdf_mask全为0；app_sr_req,app_ref_req,app_zq_req接pull_down;
2.等初始化完成后(即init_calib_complete为高电平)1.5s，对ddr3写操作，在app_wdf_rdy为高，且app_rdy为低电平时，使能app_en，且app_cmd=0；
3.判断：
a,若(app_rdy == 1) && (app_wdf_rdy == 1) ，则app_wdf_wren<=1， app_wdf_end  <= 1 ，app_wdf_data=写数据，app_addr
<=初始地址，步骤4。
b,若(app_rdy == 0) && (app_wdf_rdy == 1) ，则app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ；等待app_rdy == 1。
c,若 (app_wdf_rdy == 0) ,返回2。
4.判断：
a,若(app_wdf_rdy == 1)，则app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ，app_addr
<= app_addr + 8 ;步骤3；
b,( app_addr == ADDRESS ),ADDRESS为设定的最大地址值；步骤5；
c,若 (app_wdf_rdy == 0) ,返回2。
5.空闲40周期，步骤6；
6.读操作，判断：
a,若（app_addr == ADDRESS），读结束，步骤7；
b,若( app_rdy == 1)，app_en   <= 1 ;app_cmd
<= 3'd1，app_addr
<= app_addr + 4 ;步骤6；
c,否则，步骤6；
7.空闲1024周期，步骤3。

但是有时候读的数据不是写进去的数据，如图：[attach]572540[/attach]

步骤4.b中，app_en<=0，app_wdf_wren<=0， app_wdf_end  <= 0 ，app_addr <= 0,步骤5

周一，会有人来解答的吧

结贴了，调差不多了。虽然没人回答，但是希望能对别人有点借鉴意义。我只能说调试别人是帮不了你的，逛逛论坛，启发一下倒是真的，一百个人调试，一百个不同的问题，让人怎么帮。

您好，我来晚了，呵呵！我最近也在kc705上做ddr3的实验，但苦于没人交流，你的ddr3调试成功了吗?

   您好，我来晚了，呵呵！我最近也在kc705上做ddr3的实验，但苦于没人交流，你的ddr3调试成功了吗?

你好，我最近也在弄ddr3，初始化的init_calib_complete信号仿真能拉高，下到板子上就一直为低，请问可能是啥问题。或者给个联系方式指导下

表示不太懂

学习了

spartan6的mig核的信号跟v7的不一样，还是高端器件的好调

现在谁还在弄这方面的东西，一起交流下，我也在弄ddr3读写。504267997

今天我也碰到这个问题，直接用example design都不行，后来换了块板子好了。

   你好 最近我也在调ddr3 可否加QQ交流下?  我的 1029470549    你也是NEU的?

   我在写，想请教一下问题，刚开始学习

看完帖子，收获很大啊

ddr3初始化的init_calib_complete信号仿真能拉高，下到板子上就一直为低，请问可能是啥问题。或者给个联系方式指导下

没看图，可是发现你的读写的突发长度不一样，写是4，读是8

   最近在学习调试ddr3，能否请教一下。

最近也在调DDR读写，可以分享下调试代码吗?请问这个和MCB控制DDR读写有什么不同啊

仿真和板子根本就不是一回事，仿真初始化肯定会拉高，初始化不成功，应该是硬件的问题，先检查一下时钟有没有问题，然后器件啥的

init_calib_complete这个信号在新的MIG核中应该是phy_init_done吧！