谁知道微电子中的die-to-die和within-die是什么意思

在看一些IC低功耗方面的一些资料，发现经常出现这两个词，不理解，严重影响阅读。我理解这两个词是IC可靠性方面的，具体的是die-to-die variation and within-die variation，但不知道具体含义。知道的回复下。谢谢！

不太清楚，学习中

方向不同，不懂

和wafer一类,都是说晶圆上的一块区域,最终的芯片就在每个die上的,一块wafer上的die可以是不同的设计
你可以查查的

光刻工艺中好像有这个词

工艺制造中lot指按某种方式生成的硅柱状体，将这些lot切成薄片就称为wafer，wafer是进行集成电路制造的基板，一般以直径来区分，8寸、10寸，12寸等，或者以毫米来区分。直径越大材料的利用率越高，因为在wafer的周边由于弧形的关系是没法利用的 。在wafer上根据需要划分不同的区域，每个区域用于生产特定功能的芯片，称之为die，一个wafer上可以是同一类芯片，也可以是不同类芯片，后者可以称为多项目晶元，允许量产数目不高的多家单位进行合作生产。
  在集成电路的生产流程中，wafer的不同地方受到的影响是不同的，以光刻为例，距离光源中心的远近对生产出来的各种层次的形状有明显的影响，当然也就对最后的芯片的性能有影响。类似的众多的因素导致不同的lot之间，wafer之间，wafer内部的不同die之间，以及die内部的不同地方，最终的生产效果是有差别的，对于需要精确匹配等特殊要求的设计，仿真必须考虑这些因素的影响，但这些影响是难于准确量化的。厂商一般给出一个经验值或公式用于弥补这些因素的影响，因此才有这些数据

    受教了，感谢分享知识！