什么是交错访问DDR2 ？

随机读取时快很多。如果不交错，即同一Bank内，顺序是：
选Row---等tRAS---选Col---等tCAS---读数1，关Row---等tRP---选Row---等tRAS---选Col---等tCAS---读数2，关Row...
如果用多个Bank交错，则在一个Bank等待tRAS/tCAS/tRP的时间里可以对其他Bank自由操作，最终随机读取带宽变为多倍，比如2个Bank的话：
选Bank1Row---选Bank2Row---等tRAS-1---选Bank1Col---选Bank2Col---等tCAS-1---读Bank1数1，关Bank1Row---读Bank2数1，关Bank2Row---等tRP-1...

谢谢了，不过还想问一下，这样的操作适合在DDR2 中分块读写把 ?

交错在SDR/DDR/DDR2/DDR3中都一样重要，不知你这个分块指什么?具体哪些数据放哪个Bank需要根据应用来最优化。
如果没有交错，那即便SDR里Burst命令也没有意义。因为连续不断的Single Read，带宽和Burst Read是一样的。Burst命令就是用来节省命令带宽（比如8个Single命令替换为一个Burst命令），插入额外的交错命令。

   OK,明白你的意思了，呵呵，我现在是有16通道的数据采集卡，设想把DDR2平均分成16个小块，每块一个通道，由于通道是并行的，所以需要每次都访问16个小块，这样就需要bank的交错读写了。如果采用顺序的方法，那么效率就会超级低了

数据采集是连续读写不是随机读写, 就算不交错也很容易达到95%以上的效率.

受教了，谢谢！