MOS管的源级漏极区别
接着衬底的就是源极，没接就是漏极。
对于“为什么”的这些问题，你有两个选择：1.把I-V曲线死记硬背下来（半边抛物线+直线）。2.从费米能级和能带开始学习二极管原理。
你说得那个问题好像很复杂的样子?
导通时载流子为电子的就是n沟道mos,为空穴的就是p沟道mos
载流子永远从源到漏,电子载流子从低电势到高电势,空穴从高电势到低电势
因此nmos电压源低漏高,pmos电压源高漏低
那源级必须和衬底相连吗?
不对啊，源和漏极都有载流子啊，从漏到源还是不可以的?
MOSFET中，把电子离开的那一端叫做源极（它就像一个电子发射源一样不断的提供电子）。电子到达一端叫做漏极（电子到达这个地方就被消耗掉了英文名drain）。可见电子从源极到漏极移动的。NMOS中衬底材料为p型，反型层载流子为电子，电子载流子从源极到漏极移动，自然对电压来说相反，漏端电压要比源端的高。而在PMOS中，衬底为N型材料，反型层载流子为空穴，可以按同样的方法，空穴载流子离开的那端是源极，到达的那端是漏极，自然此时的电压来说源极的要比漏极的高。
实际MOSFET中源极漏极可以相互调换，可以从它的结构对称性可以看出，所以一般在NMOS中，看到电压高的一端即是漏极，电压低的一端是源极。而PMOS则刚好相反。
个人理解，如有错误还请谅解
源极不一定要和衬底相连，如果源衬直接的有电压差的话，就会使阈值电压发生改变，例如NMOS中，如果在衬底加负偏压将会使阈值电压增大。内部原因是有能带结构的弯曲造成。可以详见半导体器件物理教材，这些应该都有提到。
你的理解有问题,并不是不是"源级必须和衬底相连接"而是"和衬底相连的是源级,另一端是漏极"(简单理解,并不准确,理由如下)
mosfet可以看成是四端网络,源,漏,栅,衬底,对衬底和栅级加不同电压,控制源漏导通,因此衬底和源级没有必然联系,只是为了简化电路设计,两个都接地或者vdd罢了,因此通常使用时"和衬底相连的是源级,另一端是漏极"
mosfet本身是对称结构,没有外加电压,没有电气特性的时候,本身不分源漏,只有外加电压以后才能确定源漏,(深入内部结构和特殊构造技术区分源漏的请参考2楼建议,自己另行研究)
举例nmos,载流子是电子,p衬底必然接'0',因此必然栅级接'0'时截止,接'1'时导通,导通时,若源漏有外加电压,产生电势差,电子由低电势端向高电势端移动,因此发出载流子的低电势端就是源级,高电势端就是漏极,这样一来,如果衬底接的是地,源级(低电势)也是接到了地,那么就相当于衬底和源级相连了
pmos同理
恩 谢谢了 我去查查器件的书搞搞清楚！
感谢小编，谢谢分享
一直很困惑，弄不清源端漏端在计算过程中为何可以互换，何种情况互换！帮助很大，非常感谢！
说的很浅显易懂。
如果源极和衬底没有相连，那么源极和漏极是可以相换的