关于SRAM版图cell设计问题求助
时间：10-02
整理：3721RD
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在研究关于SRAM版图cell设计的时候发现，90nm工艺下的SRAM中6管中4个双稳态锁存管的分布大致如下，上面两个为PMOS，下面两个为NMOS
但是看到65nm工艺下的大致分布如下中间为两个PMOS，两边为两个NMOS，看到有45nm工艺的也大致如下图所示
我想问一下这样设计的目的是为什么，是因为65nm下图中的版图设计方式面积最省吗?还是还有其他原因，考虑到其他因素
图2吃的规则会多一点，面积会省一点