微波EDA网,见证研发工程师的成长!
首页 > 研发问答 > 嵌入式设计讨论 > FPGA,CPLD和ASIC > Xilinx 赛灵思 DDR3 调试问题

Xilinx 赛灵思 DDR3 调试问题

时间:10-02 整理:3721RD 点击:
1、使用的芯片为zynq7020-GLB484,ddr3芯片型号为MT41K128M16XX -125.2、使用SDK中的momery test 程序,开始结果显示的是 failed,后面程序就只能跑到一半,就挂掉了。
3、后使用XMD对DDR3 的地址进行读写,发现数据读写不正确。无论对DDR写什么值,读到的结果都是0x00000000.而测试通过的板子,就可以正常的读写数据。
求助:1、请教各位大神,我这情况最可能是什么原因呢?
2、我想查看DDR3的时序,用什么方法比较好?

频率运行多少,可以考虑将频率尝试一下

一般先降频,如果不行,多数是硬件的问题

先降频试试

1.焊接有问题2.布线有问题

小编的问题解决了没,也遇到同样的问题。

Copyright © 2017-2020 微波EDA网 版权所有

网站地图

Top