想问：锁存器综合以后的底层门结构是NOR？还是NAND？

想用一下锁存器的功能，果发现锁存器基础结构不同时得到的逻辑结果就不一样，所以想知道DC综合后得到的锁存器的基本结构?本人认为锁存器的基础结构是NAND结构.  但是还没找到说服自己的理由。哪位大神有这方面了解，请指教?
jieg

“锁存器基础结构不同时得到的逻辑结果就不一样”，还有这种奇怪的事情啊
DC综合的锁存器的结构不是DC能决定的，如果你想知道lib中锁存器的内部构造，可以查看物理库中的spice库文件，里面描述了每个STD cell的构造，也就是STDcell 里面由哪些mos管组成，mos管大小，以及mos管之间的连接关系。
你也可以看std cell的说明文档，或许有cell内部的电路图

      谢谢。我上面那就话是针对锁存器结构说的，不是RTL级代码。      说的很有道理，综合什么结构主要还是看库里有什么。