Nand flash ECC求助！
时间：10-02
整理：3721RD
点击：
请问大家，
假如一个page为 2KB+64B 的flash，
先将该block 擦除，
对第一个 page的 2K写数据， 然后对第二page 2K 写数据。
两个page的2k数据写完后，然后向第一个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
写完向第二个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
这样，ECC 能写进进去吗 ?
假如一个page为 2KB+64B 的flash，
先将该block 擦除，
对第一个 page的 2K写数据， 然后对第二page 2K 写数据。
两个page的2k数据写完后，然后向第一个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
写完向第二个 page 的64B 地址写 ECC 信息，
这样，ECC 能写进进去吗 ?
这应该没有问题的，
不行。NAND flash手册里明确规定页地址必须一次累加上去。
这个主要涉及到NAND flash中一组晶体管串的编程问题。例如，当对地址9进行编程操作时，它的阈值电压由当前晶体管和地址0-8的晶体管状态来决定，因此，当地址9的晶体管编程完成后，不允许对0-8的晶体管进行改变阈值电压的操作。同时，一个block的编程操作总次数有限，以防止编程操作而引起的累计误差。
也许平常一个两个的试验，不按照这个规范来也可以正常存入数据，但毕竟不是规范的操作，不建议使用。
具体细节请参见《Inside NAND flash memory》
肯定不行 nand按照页面写操作