再问DDR3问题
时间：10-02
整理：3721RD
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论坛上的各位大神，小弟最近在调DDR3，遇到一些问题，着实想不明白，希望指教一下。
问题描述：
我是连续的向DDR3里写1000个数（0~999），在写的过程中，app_wdf_rdy和app_rdy都有为低的时候，按照手册上的提示，我需要重复写一遍，直到app_wdf_rdy和app_rdy为高。
这样我写DDR3的效率不就是降低了吗?写1000个数就不止用1000个时钟了。
我就是想知道，在什么情况下，app_wdf_rdy和app_rdy会为底，难道DDR3不能一直联系地写?
（以前用过DDR2，在使用DDR2的时候，如果我频繁的换行，app_af_afull信号就会为高，写DDR2的效率就会降低了，可是现在用ddr3的时候我并没有频繁换行啊）
谢谢各位了！
问题描述：
我是连续的向DDR3里写1000个数（0~999），在写的过程中，app_wdf_rdy和app_rdy都有为低的时候，按照手册上的提示，我需要重复写一遍，直到app_wdf_rdy和app_rdy为高。
这样我写DDR3的效率不就是降低了吗?写1000个数就不止用1000个时钟了。
我就是想知道，在什么情况下，app_wdf_rdy和app_rdy会为底，难道DDR3不能一直联系地写?
（以前用过DDR2，在使用DDR2的时候，如果我频繁的换行，app_af_afull信号就会为高，写DDR2的效率就会降低了，可是现在用ddr3的时候我并没有频繁换行啊）
谢谢各位了！