leakage power的数量级大概多大

看到好多论文里对leakage power的数量级一般是几百uw(TSMC 90nm 电路：16*16乘法器)，而我自己用synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。怎么会相差这么大啊?
大家有没有测过leakage power?大概多少?
占总功耗比例大不?

ddddddddddd
自己顶下。

I also need to know it

re，同想知道，不是号称65nm一下leakage可能占到总功耗的30%以上么?
我用dc报出来的leakage要比internal和switching小很多，几乎是十分之一的样子，tt corner下
有人说ml corner下leakage很大，但ml corner 根本就不会存在，有什么意义呢?

要看你用的那种cell，90nm已经有分low-vt和high-vt的cell了，leakage相差本来就很大了

不同的工艺漏电是不同的，但是越小的工艺应该漏电越大。

有一个基本的参数,就是0.13微米 G工艺下，25平方毫米的设计，leakage power在1mA以内。
“synopsys的primepower工具测量而只有几uw(smic 65nm 电路时16*16乘法器)。”
小编的结果应该问题不大，因为16x16的乘法器本身占用不了多少gate。

good book...thx...