费解？同时对双端口存储器A、B两端进行写操作

同时对双端口存储器（True Dual Port Ram）A、B两端进行写操作，而且写操作的地址相同，那到底写进去的是A端口的数据还是B端口的数据呢?  我试验过了下，DOUTA==DINA，DOUTB==DINB;那RAM中写进去的到底是DINA还是DINB呢?

个人觉得写进去很大可能是既不是DINA，也不是DINB
只有DINA=DINB时，写进去的数据才是正确的
可以测试一下，同时写A、B端口，然后再读同一地址的数据，就知道到底是怎么样的了

    直接从写地址，读出来看看就知道了吧。
    或者查查看该存储器的datasheet,应该有说明的吧。

    已经试了，在WRITE FIRST模式下，同时写从A、B端口读写同一地址，结果DOUTA、DOUTB输出都为DINB的值

    前仿真是DOUTA、DOUTB都为DINB，但后仿真DOUTB总是为高阻态，DOUTA总是有个别几个数据为高阻态(SPARTAN 3E XCS1000 PT302)，但换成SPARTAN 3E xcs500 pq208后，配置下引脚DOUTA读写正确，DOUTB还是为高阻态，即使只是读操作还是为高阻态。  我之前也做了几个程序的后仿真，感觉是碰运气一样，引脚配的好可能就满足时序和频率，配的不好就不行，还有INPUT DELAY 、OUTPUT DELAY和寄存器之间的延迟（这个我到现在还不知道怎么设置），我感觉设置了这几个参数效果不明显，有时效果变更差。

大家来讨论下后仿真的问题啊

你说的后仿真是FPGA上的后仿真?

    对在ISE上做后仿真

我记得这个是违规操作
真双口RAM的数据手册中有注明用户必须避免这种操作