尺寸相同，与非门和或非哪个速度快？(虹微笔试题）

与非门快，从充电时间的大小可以解释原因。

麻烦楼上的再详细解释下，我觉得这问题挺有意思的

与非门输出电容串联 < 或非门输出电容并联

但是与非和或非，充电和放电的电阻不一样，上升和下降应该分别来考虑吧

与非门比较快,利用RC模型计算转换时间,求平均！

请问大家，不知道我这样理解可不可以：
     因为pmos比nmos的迁移率小，标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样，因此pmos比nmos的寄生电容大，因此pmos充电时间长，比较最长路径的延时，或非门是两个pmos串联，与非门是两个nmos串联，因此与非门的速度更快。

楼上解释的比较详细，主要就是因为电子迁移率不同而引起输出电容不同造成的。

这个似乎要对集成电路原理很了解,哎,都忘差不多了

:lol

这个题目的关键点是，同样大小的pmos和nmos，因为pmos的电子移动率小，所以电阻大。 一般可以认为，单位尺寸，R_PMOS = 2R 或者 3R, R_NMOS = R, C_PMOS = C_NOMS = C.  画出图来，用RC模型分析一下就可以得到结果了。

还真没有考虑过这种问题

感觉讲的比较详细

有区别吗?

我觉得是这样吧。

lesson learning .

7楼是正解。我就是学微电的

好问题！

7楼基本正确，我来补充点：
由于pmos的载流子的迁移率比nmos的迁移率小，所以，同样尺寸条件下，pmos的充电时间要大于nmos的充电时间长，在互补cmos电路中，与非门是pmos管并联，nmos管串联，而或非门正好相反，所以，同样尺寸条件下，与非门的速度快，所以，在互补cmos电路中，优先选择与非门。
这个结论仅限于互补cmos电路中，同样的条件，如果是伪nmos电路，则或非门速度快，所以在伪nmos电路中，优先选择或非门。
题外话：是载流子的迁移率，不是电子的迁移率，对pmos而言，载流子是空穴；对nmos而言，载流子是电子。
原帖由 taoerfang 于 2007-10-16 09:40 发表

请问大家，不知道我这样理解可不可以：
     因为pmos比nmos的迁移率小，标准的与非门和或非门中的nmos和pmos宽长比不一样，因此pmos比nmos的寄生电容大，因此pmos充电时间长，比较最长路径的延时，或非门是两个pmo ...

楼上是高手啊
很了解集成电路知识！

牛！
后端的兄弟就是牛啊！

22楼的兄弟，牛人啊！

发错了啊,  20楼的兄弟好强！

20楼的说得对
20楼的是个高手啊

:lol:lol:lol:lol
高手

这道题目里面，所谓“尺寸相同”，是个有趣的概念。
从最简单的模型来分析，如果是2222的NAND，和4411的NOR（前两个是PMOS宽度，后两个NMOS），其上升下降都是一样的，和standard inverter一样。
如果更详细的模型，NAND本身的输出端电容是8，NOR的是10，这点上NOR比较慢。同样的，内部串连的MOS管中间的节点，NAND是2而NOR是4，意味着某些情况下，NOR更慢。
上面怎么说都是NOR更慢。如果再严格遵从题目，以layout的大小来看尺寸，则NOR的rail 2 rail更宽(虽然做成standard cell就无所谓宽度了...)。
不是我八卦，不过所谓PMOS串连就更慢的讲法...也太笼统了吧?

学习了，顶一下！

回复
前面解释得很详细了，我就不用多说了。其实就是因为载流子与电子的迁移率不同，导致了延时不同。

尺寸是一样的,那就应该看充放电快慢了....