请教两个关于DC的问题
时间:10-02
整理:3721RD
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1 我的综合中带有pad,但是对pad是否需要做特殊的约束;
我没有做任何处理下compile_ultra报告如下:
report_timing 中提示pad 的电容6.77pf, Incr 21.24ns;
report_constraint max_transition 出错;
2 我的设计中带有EEPROM,有控制模块与其接口,对此eeprom是否需要做特殊处理,如何约束;谢谢。
我没有做任何处理下compile_ultra报告如下:
report_timing 中提示pad 的电容6.77pf, Incr 21.24ns;
report_constraint max_transition 出错;
2 我的设计中带有EEPROM,有控制模块与其接口,对此eeprom是否需要做特殊处理,如何约束;谢谢。
你要给PAD设置一个load吧
PAD本身并不需要综合时加什么设置,但你设置一下set_load和set_drive,使DC知道你的芯片外部驱动能力的情况。
對input pad來講不需做任何處理
但是out pad需要考量到drive能力與外部的loading
這些數值可以在dc時加進constraints裡讓dc做最佳化
一般Memory如果是放在晶片內部就是為macro的處理,只需在dc時放進其library,並在apr時注意其power ring及其訊號接即可
若是memory跟晶片做sip的話,這memory的作法就跟一般晶片作法一樣
但是設計此晶片時還須考量對memory的訊號推動能力
设置一下set_load和set_drive
谢谢各位的解答,我试试。
