有人知道tcad里的doping concentration是什么意思吗？

不会说，直接上图，大家帮忙看看，NMOS vertical cut through the NMOS drain/body/ntub/psub  

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就是参杂浓度。

嗯，这个我明白，那一个图里可能有不同的掺杂，那是不是从图上看不出是哪种掺杂呢? 比如NMOS 的Drain下是N+掺杂，再下面是P-WELL了，是P掺杂了，那图是不是就给出掺杂浓度而不区分哪种掺杂呢，而要自己分析的是么?

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