Nios II访问SDRAM问题

Nios处理器的程序和数据都是放在onchip_ram，通过软件读写SDRAM，代码如下：
alt_u16 *ptr = (alt_u16*)(SDRAM_BASE);  
for(i=0;i<N;i++)
  {
    //array = IORD_16DIRECT(SDRAM_BASE,i);
    array = *(ptr+i);
  }
发现每写一个数据平均要40-50个时钟周期，这个太慢了，
请问有没有更好的方法来访问SDRAM，想利用SDRAM的突发模式，这样可以快一点，不知道在Nios II core的哪里改进。
谢谢