SDRAM随机读写问题
时间:10-02
整理:3721RD
点击:
用的是IS42S16400
我是对同一行写,然后在读同一行
1.在写的时候,先先执行Avtive命令,然后开始发送写命令(没有Auto Precharge),
以后每4个周期发送一个写命令(burst length = 4)
2.然后读该行数据测试。
读的时候是有Auto Precharge,只是想看一下结果,发现结果不对。
请教上述方法是不是有问题
写完之后是不是要Precharge后才能读啊?
我是对同一行写,然后在读同一行
1.在写的时候,先先执行Avtive命令,然后开始发送写命令(没有Auto Precharge),
以后每4个周期发送一个写命令(burst length = 4)
2.然后读该行数据测试。
读的时候是有Auto Precharge,只是想看一下结果,发现结果不对。
请教上述方法是不是有问题
写完之后是不是要Precharge后才能读啊?
不是,不用precharge就能读。但是是有时间限制的。
全写1,读出,再全写0,读出,比较一下
以前也遇到过这样的问题,后来不知不觉就好了
这个操作顺序没有问题。不过不知道你读写之间的间隔有多长时间,时间太长超过了row的active最长时间就不行了。
给出的信息不够多,很难判断到底是什么问题。
哈哈。刷新问题考虑了吗?
dingdingding
dingdingding
THANKS
