我来请教一个关于sdram的问题?
时间:10-02
整理:3721RD
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请教一个sdram问题,手册上写sdram刷新要求:128ms内刷新auto reflash 4096次;可不可在128ms内对4096行顺序读并预充电,而数据不丢失?假设我只用了sdram中一部分有用,可不可以128ms内对这一部分行顺序读并预充电(不是全部),sdram中这部分数据不丢失?
好像不行..........
我觉得是可以的!
你可以看一下这篇文章。
http://pc.sheup.com/pc/12/pc27634.htm
有下面的话
实际上,预充电是一种对工作行中所有存储体进行数据重写。
刷新操作与预充电中重写的操作一样,都是用S-AMP先读再写。
但为什么有预充电操作还要进行刷新呢?
因为预充电是对一个或所有L-Bank中的工作行操作,并且是不定期的,
而刷新则是有固定的周期,依次对所有行进行操作,以保留那些久久没经历重写的存储体中的数据。
我的理解是,只要保证所需要的所有有数据的行,在不大于刷新最大间隔的时间内都读并且预充电过,就可以不刷新。
只是个人理解,你可以试一下。
dingdingding
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