SDRAM的疑问,急

我用的是K4S560832E-TC(L)75三星的产品,谁有其详细的datasheet,
从网上只找到了一个很短的datasheet,而且还没有时序图.
还有此产品的,行为描述,用于仿真的. 有没有哪位高手有啊！
为了省事,采用的同步逻辑设计的控制器,到板子上测试的时候,发现读取的数据和写入的数据 不一致
有没有哪位遇到过这种问题,给点意见

数据的每个bit都不一样还是某些bit不一样?有没有什么规律?是不是bus的delay不一样啊?

学习！顶一下！

数据倒不是每一位都不同,比如说AA,变成AB,A8,A2,AE等,
看起来像是bus_delay不一致，但是我采用的同步时序逻辑，应该不会出现这个问题．
问一下：在关闭行的时候，需要做precharge操作，如果这个操作不做的话，会有什么后果，
　　　　下一次active row的时候就不能用了吗

到三星的网站上找找,资料都有,包括时序信息和仿真模型.
我以前在FPGA上做过SDRAM的控制器也是全同步设计,100M没问题,FPGA是EP2S60****C5的,
你把频率降低尝试一下或者把供给SDRAM的时钟相位调整一下,相对于系统时钟有一个负的相移.

切换访问不同行的时候需要做precharge操作。另外，你可以检查一下所有的时序参数是不是都满足了要求，有些时序参数如果不满足要求，也会导致写或读出的数据出现错误。

调整相位时钟有什么用?！
既然是全同步时钟,为何要调整相位呢?
因为毕竟SDRAM是外接的,所以所说的都是上升沿采数据还是有点差距的吧?！
所以最后为满足建立时间要求,将在FPGA里产生的SDRAM的控制信号,用下降沿产生,
这样就出现一个新问题,在同一个设计中出现正负沿同时触发的情况,这样有什么隐含bug呢?

切换不同行需要precharge，因为读/写数的时候会影响同行未选中的数据位，precharge实际是读出回写的过程，保证数据不丢失。

别忘记用锁相环加一个xiangyi

新手，不大懂

学习 了  顶一下

你可以选用with auto precharge的读和写