20nm的价值: 继续领先一代

关于摩尔定律的经济活力问题，有很多的讨论。在过去的一年中，20nm节点进入到这个辩论的前沿和中心。无论说辞如何，包括赛灵思在内的行业领导在20nm研发上的积极推动都没有停止。只有一个原因可以解释这些行业领导者的积极行动：20nm为创造更高的客户价值提供了巨大的机会，比如赛灵思，它使其客户能够应用到领先其领先竞争对手整整一代的产品系列，而且将为他们提供比以往任何时候都更具吸引力的ASIC和ASSP可编程替代方案。

赛灵思正在打造20nm All Programmable 产品系列，专门满足下一代的、更加"智能"、集成度更高、亟需更高带宽的系统。这些应用包括： 1)智能Nx100G - 400G有线网络;2)LTE高级无线基站部署智能自适应天线、认知无线电技术、基带和回程设备3)高吞吐量、低功耗的数据中心存储、智能网络和高度集成的低时延应用加速;4)图像/视频处理以及面向新一代显示、专业摄像机、工厂自动化、高级汽车驾驶员辅助和监视系统的嵌入式视觉;以及5)面向几乎所有可以想象到的应用的尖端连接技术。

在20nm保持领先一代的地位

为了解20nm所带给赛灵思产品和客户应用的真正价值，首先必须了解其在28nm技术创新上所实现的的超越节点的价值。对赛灵思来说，进入20nm, 并不是传统的FPGA简单地迁移到下一个节点，它已经在28nm时代推出了众多的FPGA创新，率先推出了全球行业第一个商用的All Programmable 3D IC和SoC。所有这些已经开始发售的All Programmable 器件，采用了所有形式的可编程技术，远远超出硬件可编程的范畴，实现了软件可编程，超出了数字进入了模拟混合信号(AMS)，超出了单芯片发展到了多芯片的3D IC。这种新一代器件所带来的价值现在已经被数百家的客户所证明。

在20nm，赛灵思目前正在开发其第二代SoC和3D IC技术，以及下一代的FPGA技术。相比于竞争对手，赛灵思拥有多年前率先创新的先发优势。其中包括FPGA性能/瓦的突破，与客户一起更好微调的更成熟的SoC和3D IC技术，与其下一代Vivado设计套件"协同优化"的器件。赛灵思在系统中重新定义了高性能收发器的设计和优化。这让赛灵思能够更有效地把20nm的附加价值引入领先的和业经证明的28nm技术之中，让客户的创新继续保持领先一代。

从28nm到20nm FPGA进一步优化性能/瓦

28nm 7系列FPGA的创新，把工艺技术上的创新(与台积电(TSMC)共同开发的高性能低功耗(HPL)技术)与针对最小化静态和动态功耗、最大化主要构建模块性能的众多优化完美结合，让赛灵思能够提供超越节点的性能/瓦价值优势。与此同时，赛灵思还能够提供最高的I/O、DDR和收发器带宽，以及针对系统内信道优化的业界最佳的收发器自适应均衡器。

8系列FPGA为赛灵思在20nm继续保持领先一代的地位奠定了基础。这些器件将利用与台积电的28nm HPL工艺性能/瓦特征相似的20nm SoC工艺。将系统级性能提升2倍，内存带宽扩大2倍，总功耗降低50%，逻辑功能集成和关键系统建模加速1.5倍多。设计人员在高性能应用中，可以用到更高的速度架构及第二代专为系统而优化的收发器。而LTE无线、DSP和图像/视频应用的开发人员，可以利用其更快的DSP， BRAM和DDR4内存接口。所有应用都将受益于赛灵思的下一代路由体系结构，可以轻松地扩展超过90%的资源利用率??，实现更高的结果质量及更快的设计收敛。

第一代到第二代All ProgrammableSoC

赛灵思的28nmZynq-7000 All Programmable SoC是行业第一个硬件、软件和I/O均可编程的器件。通过实现双核ARM®A9嵌入式系统、DSP、逻辑和主流AMS功能的集成，让赛灵思能够再次为行业提供领先一代的系统性能、集成度和低功耗

为在20nm继续居于领先一代的地位，赛灵思将借助一个新的异构处理系统，有效地提供更高的系统性能。这个嵌入式系统将被用超过 2倍的互连带宽耦合到下一代FPGA架构中。在芯片上的模拟混合信号性能将翻一番，同时可编程I/O将随着下一代DDR4和PCI Express®接口而升级。这种新级别的嵌入式处理性能和I/O带宽被赋予SoC级的功耗和安全管理。第二代All Programmable SoC将实现最高水平的可编程系统集成，并满足最严格的的系统级规格。

从第一代到第二代All Programmable 3D IC

和一个纯粹的单芯片解决方案所可能达到的结果相比，赛灵思28nm同构和异构Virtex® 3D IC把设计容量、系统级性能和系统集成的水平均整整翻了一番，提供了领先一代的价值优势。通过赛灵思堆叠硅片互连技术(SSIT)中的硅中介层，赛灵思 FPGA和收发器混合信号裸片和超过10,000个可编程互连集成在一起。

为在20nm继续领先一