功率半导体更注重节能需求 追求更低导通电阻

)市场的领先地位。英飞凌高压功率转换产品部门主管 Jan-Willem Reynaerts表示，英飞凌此次推出的CoolSiCTM能让太阳能逆变器的效能达到新的水平。

英飞凌推出碳化硅功率半导体

他还指出，相较于IGBT，全新的CoolSiCTM 1200V SiC JFET 大幅降低切换耗损，可应用更高的切换频率，不需牺牲系统整体的效率。因此能够使用体积更小的被动组件，进一步缩小整体解决方案的体积与重量，并降低系统成本。换句话说，该解决方案能够让相同体积的逆变器达到更高的输出功率。除英飞凌外，另如科锐(Cree)、快捷(Fairchild)、包尔英特等也都已投入碳化硅功率半导体研发领域。

基本上，氮化镓及碳化硅在功率半导体领域的崛起，主因在于，相较于传统以硅为材料的功率半导体，这两项新材料具有更低的导通电阻及更高的切换速度，更能符合日益严苛的能源效率要求，因此前景颇受看好，预料市场版图将持续扩大。