射频GaN市场机遇及Foundry代工厂巡览
时间：12-03
来源：“电科防务研究”微信公众号
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大的晶圆直径和更低成本衬底以及加工成本。如果表现出的特性非常接近GaN/SiC的表现，那么，硅基氮化镓成本优势将会变成SiC基氮化镓制造的首要难题。
但从另一方面来说，SiC拥有导热性能是一些器件所需要的，也会为这两种技术继续存活留下空间。
出处："电科防务研究"微信公众号（CETC-ETDR）
中国电子科技集团公司 石杨 纪军 inspired by 张春磊
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