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射频GaN市场机遇及Foundry代工厂巡览

时间:12-03 来源:“电科防务研究”微信公众号 点击:

观检验(商用和太空级)、还有为太空项目所作的大量验收测试(LAT)和晶圆验收测试(WAT)。所有的设计都能够进行QFN(塑料方形扁平无引脚封装)(达到30GHz工作)或者是直接封装。他们也为太空器件提供气密外封装服务。

5.UMS提供的售后服务范围很广而且比较灵活,包括晶圆片上噪声和功率测试。并且帮忙进行外表检测、挑选和封装。

6.稳懋半导体为GaN客户提供高电压直流产品测试,切割和检查服务。

7.Wolfspeed提供切割、晶圆上直流、交流探针测试和固定的直流/交流特征化测试。

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(图11 BAE & WIN公司LOGO)

七、电子设计自动化(EDA)软件支持

1.BAE系统公司的软件系统服务是一家一家做的。他们为客户提供专属软件设计服务。这家公司拥有一个自主研发的Angelov非线性模型,在设计时提供所有需要的器件模型,并且为这些制造厂商提供信息。可兼容ADS系统的PDK套件们预计在2016年年底能开发出来。

2.弗劳恩霍夫有安捷伦(Keysight)PDK系统,为微带线服务;有接地共面传输线,为ADS系统(ADS数据记录)服务,还包括所有自动陈列的功能。

3.对GaN500工艺,NRC既提供Root模型,也提供在ADS系统上的Angelov模型。对GaN150工艺,只提供Root模型。而对于0.15μm的E-GaN工艺则没有模型提供。

4.OMMIC的PDK可联网使用,其ADS版本是最新的32位和64位,可满足NI/AWR微波办公室设计系统。64位NI/AWR设计正在研发中。所有的套件设计都在全温度下提供非线性模型和噪声模型。这家公司也提供DRC和LVS的查询服务。他们雇佣了一个团队,跟踪用户需求,并提供多层圆片设计(多层掩膜)服务,每一过程每年要启动4次,因为其原型数量很少。

5.UMS的GH25工艺的PDK套件是可以与微波办公室和ADS兼容的。他们包括非线性、面向功率生成而设计的量化热-电模型。为LNA设计的线性模型,为开关和二极管设计的冷FET模型、还有为MMIC设计的无源元件。他们的PDK套件包括增加的DRC(数字版图纠正)和为三维电磁仿真设计的3D视图。

6.稳懋半导体设计套件是能够用在ADS和NI/AWR平台上的,包括自适应和最优非线性模型,微信号和噪声、负载牵引数据模型。稳懋半导体运用基于互联网的工具——WebDRC,提供24小时设计检查工作,他们既通过Cadence也通过ADS 和AWR的平台来进行设计的确认。

7.Wolfspeed提供基于ADS系统和NI/AWR的微波办公室PDK。

八、市场机遇

GaN现在和GaAs器件的发展类似,期望GaN的市场能够成熟起来,让其可做的器件变得多起来,特别是在高功率市场方面。随着技术的更新换代和成本的降低,预测GaN将会为功率放大器提供最好的价值功能,找到最优的平衡。现在在军民融合的大潮下,性能的要求更加凸显:

  • 发射功率
  • 效率
  • 线性度
  • 频率
  • 带宽
  • 工作温度
  • ……

GaN在这些性能上表现得比GaAs和Si更好。例如,在军事器件中,GaN改善了尺寸、重量和功率(SWaP),并且将继续融入这些系统中。

多数GaN供应商将基站和卫星市场视为短期内的主要的增长方向。至于毫米波,5G也是一个巨大的机遇,目前GaN在宽频带、高频器件上表现良好。在射频能源市场GaN也适应得较好,制造厂商关注的航天以及防务市场在快速增长,这包括宽禁带,高功率放大器电子战、相控阵雷达和广泛的毫米波应用。

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(图12 GaN的未来)

GaN的主要竞争对手是在射频领域的LDMOS,在高频领域是GaAs。LDMOS依然主宰着高功率器件市场。目前GaN不会完全的取代任何一项技术,但它也会继续的渗透进这些市场,使自己更具价格竞争力。LDMOS每年也会进一步研发提高性能,所以这些市场上两者将会继续竞争下去,在未来,GaN必将出现亮眼的表现。

BAE系统公司认为在一段很长的时间内,GaN的微波应用将持续繁荣。主要在高功率领域,频率从1到100GHz。尽管如此,GaN也不会完全的替代GaAs和Si,毕竟GaAs和Si都有独特的性能,而且其相关的经济体也会确保这些材料的持续生存。GaN的爆发是要在其高产技术成熟而且晶圆尺寸扩大,成本降低的时候。现在来看,GaN显然是一个市场的颠覆性技术,至少在下个十年内,没有什么半导体技术能够撼动它的地位。

期待GaN后续的技术发展,像节约成本的Si基GaN、增强热导性能的金刚石基GaN。GaN也将会更广泛的应用,不仅仅在功率放大器上,还要应用到其它像是低噪声放大器啦,开关啦,还有多功能集成电路啦等等。GaN十分适合应用在低噪声放大器/限幅器上,因为它结合了低噪特性和高击穿电压,后者对限幅比较有利。

未来器件的战争将会在GaN/SiC或者是GaN/Si之间打响。工业上会有哪项技术出局么?

Si基GaN有着低成本的良好前景——提供了更

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