高集成度、可调谐等趋势 看手机射频器件的重大变革

随着移动终端设备将朝着高集成度、高工艺、低价位方向发展，终端产品的射频部分也将在复杂度和尺寸两方面不断发展。手机射频器件市场将越发具有吸引力，主要的技术进步正在竞争激烈的功率放大器、RF芯片和天线开关等领域发生。高集成度、可调谐是非常重要的两个趋势，收购并购是永远也离不开的话题。

据市场研究机构Yole Developpment发布的一份报告显示，2011年上述三个射频前端模块的关键器件创造了36亿美元的市场，到2016年射频器件市场将激增至47亿美元。

接下来，请跟随MWRF编辑一起来看看近来手机射频器件领域究竟发生了哪些故事。

意法半导体推出调谐电路 支持全新射频前端标准

意法半导体于2013年4月推出全新的调谐电路STHVDAC-304MF3，该产品共有4路输出，在多频GSM/WCDMA/3G-LTE智能手机的天线匹配电路内，最多可调节4个可调BST电容器。新产品的一大亮点是支持MIPI联盟射频前端（RFFE）标准，这个全新的工业标准可帮助手机厂商简化手机设计。

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安森美推出用于智能手机的可调谐射频元件 具备可靠天线性能

安森美于2013年3月推出新系列的可调谐射频元件(TRFC)，协助开发最新世代智能手机的工程师解决其设计挑战。这些新器件极优地结合了调谐范围、射频品质因数(Q)及频率工作，提供比现有固定频段天线更优异的解决方案。

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高通发布RF360前端解决方案 支持所有LTE频段

高通于2013年2月推出RF360前端解决方案。这是一个综合的系统级解决方案，针对解决蜂窝网络射频频段不统一的问题，首次实现了单个移动终端支持全球所有4G LTE制式和频段的设计。频段不统一是当今全球LTE终端设计的最大障碍，目前全球共有40种不同的射频频段。

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RFMD收购Amalfi半导体 加速其在入门级智能手机市场发展

RFMD于2012年11月宣布已经签署最终协议，将以4750万美元现金收购RF和混合信号的芯片公司Amalfi半导体。Amalfi的芯片RF CMOS和混合信号专业技术，整合到RFMD的客户关系、产品组合、生产制造和全球供应链后，会加速全新的射频CMOS功率放大器进入低成本入门级的智能手机市场。

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Avago宣布FBAR滤波器成功运用于15个智能手机频段

Avago于2012年10月宣布，公司的薄膜腔声波谐振器(FBAR)滤波器技术已经成功赢得多个产品设计，支持多达15 个不同频带应用。基于FBAR 技术滤波器的陡峭滤波曲线和优秀的带外抑制能力除了可以帮助现代智能手机在拥挤的频谱运作，还能避免可能影响甚至中断数据传输的干扰。

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TriQuint推出用于下一代3G/4G智能手机的集成式多频带多模式功率放大器

TriQuint于2012年9月推出一款多频带、多模式的功率放大器(MMPA)---TQM7M9053，能简化用于下一代全球3G / 4G智能手机和其他移动设备日益复杂的射频前端。这个紧凑、高度集成的TRIUMF™多频多模功率放大器实现了业界最佳的功率附加效，将大大节省分离器件成本，并提供多达15%以上的浏览时间。

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英特尔推出低价3G手机射频SoC芯片

英特尔（Intel）于2012年8月推出新款射频SoC芯片方案"SMARTi UE2p"，在射频电路中整合了3G功率放大器，这将有助于开发出体积更小，复杂度和成本都更低的入门级3G设备。Intel表示，下一步还将会继续与功率放大器厂商加大战略合作，开发出更多的智能手机、平板电脑解决方案。

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Skyworks手机射频前端系统SkyOne™ 集成所有射频和模拟组件

Skyworks于2012年6月推出革命性前端系统SkyOne™，该产品集成了从收发器到天线的所有射频和模拟组件，可有效降低前端复杂性、减小尺寸和缩短上市时间，满足下一代移动平台的严苛需求。适用于智能手机、平板电脑和超极本等移动设备。

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IQE收购RFMD的MBE制造部门 折算7年晶圆供货合同

IQE公司于2012年6月宣布，已与RFMD公司签署协议，收购RFMD内部整个分子束外延（MBE）的外延片制造部门，并获得7年晶圆供货合同，IQE公司将为RFMD独家供应所有MBE晶圆的需求和大多数MOCVD晶