正确理解GaN：突破传统的新模型

调谐传导EMI滤波，而非错误地认为依赖现有设计即可。为减小辐射EMI，必须保持开关节点尽可能短而宽。

由于封装在快速开关晶体管中的寄生电感已经证明对电源转换能效有显著影响，PCB布署仍很关键。必须充分减小电源和驱动回路内的总电感，以达到对元件开关性能的最佳控制。这些电感的示例如图1所示。

图1：电源和驱动电流回路中典型的寄生电感

以最小的寄生电感实现更快的开关频率，便可修改其他元件。采用更高开关频率时，通常可减小变压器或电感中的磁芯尺寸，以增加系统功率密度。如果采用和更大版本相同的材料和制造方式，将降低磁性元件成本。如果仍然能满足系统需求，系统中的电容需求也可减少，但这远在意料之外。例如，可能有持续时间的要求，转而需要最小的电容。

将寄生电感减至最小值并以此根据进行设计，支持更短、更易控制的开关事件，便能从终端应用的能效看到快速开关GaN晶体管的充分优势。

GaN功率晶体管承诺支持客户推动他们的设计超越硅的极限。系统开关不再是电源转换的限制因素，必须考虑其他电路以实现更高能效而紧凑的设计。考虑电路布署和元件选择很重要，以推动系统性能超越技术现状。毕竟，GaN不是直接嵌入使用的硅的替代品，它是一种新的模型。