微型磁传感器及应用市场
时间：06-17
来源：慧聪网
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1 磁传感器及其发展
磁传感器，就把磁场、电流、应力应变、温度、光等引起敏感元件磁性能的变化转换成电信号，以种方式来检测相应物理量的器件。其实出特点是可以非接触测量，检测信号几乎不受被测物的影响，耐污染、噪声强，即使在很恶劣的环境条件下也能够可靠地工作，坚固耐用，寿命。正因为如此，从防、航空航天到国民经济各个部门，从医疗卫生到类日常生活的诸多方面，都用到了这种传感器。
磁传感器以利用磁铁的指南性作指南针航海为开端。其后，作为感知磁场和磁通的元器件，相继开发出探测线圈，磁通门磁强计，半导体霍尔元件和磁电阻元件，铁磁薄膜各向异性磁电阻（AMR）元器件，还有使用块状铁氧体磁芯的应力传感器，使用热敏铁氧体磁芯的温度传感器，利用亚铁磁石榴石磁光效应的光纤电流传感器，高灵敏度超导量子干涉器件（SQUID），等等。总之，磁传感器的种类甚多，更新换代频繁。
磁传感器通常都是组装在机器、设备内部来使用的。现代整机正迅速向小型轻便、多功能、智能化方向发展，要求所用传感器即使对微小空间内物理量的变化也能够高灵敏度、高速度地做出响应。即在传感器本身需要小型轻量化的同时，还迫切希望提高其工作速度、检测分辨率和灵敏度。
半导体大规模集成电路制造技术、微电子机械系统（MEMS）制造技术、微组装技术的推广应用，磁性薄膜、非晶、多层膜、纳米磁性丝等新材料和平面线圈微磁器件制造工艺及表征手段的不断进步，为磁传感器的小型化、微型化奠定了可靠的基础，应用各种新效应的许多新型高性能、小型化及微型化磁传感器正不断投放市场。早期上市的AMR薄膜敏感元件和传感器，新近推出的GMI传感器、SI传感器、SV-GMR传感器，和即将实用化的薄膜磁通门磁强计、无线磁弹微型传感器阵列，就是其中的典型代表。下面，简单介绍几种微型磁传感器的工作原理、基本结构及主要技术性能。
2 新式微型磁传感器
2.1 高灵敏度GMI和SI微型磁传感器
GMI磁传感器由低磁致伸缩材料和CMOS集成电路构成，利用磁性材料的巨磁阻抗（GMI）效应工作。所谓GMI效应，就是给低磁致伸缩非晶丝或者图形化薄膜元件加上高频（>10kHz）电流时，受外部磁场的作用，敏感元件的磁导率和趋肤效应就随磁场变化，结果，电感和电阻即阻抗发生急剧变化的现象。1992年，名古屋大学教授毛利佳年雄等人最先报导了这一新效应[1]。他们在研究中发现，用快淬富钴非晶丝，经过适当处理后，其阻抗变化率（△Z/Z）可达100～300%。近来，V·Zhukova等人报告，用成分为Co67Fe3.85Ni1.45B11.5Si14.5Mo1.7的非晶细丝，在最佳条件（金属核直径/丝总直径ρ=0.98，在频率f=10MHz，通过电流I=0.75mA）下，由磁场感生的（△Z/Z）max≈615%。[2]另据日本东北大学教授荒井贤一报告，将铜导体（厚3μm,宽0.5mm）夹在非晶磁膜（Co73Si12B15合金：厚2μm，宽2mm，长10mm）中间，并在其间加上SiO2绝缘层，在元件长度方向施加直流外磁场和通过10MHz载波电流时，也可以得到大约600%的阻抗变化率和0.8%（A/m）的电压变化量。
GMI磁传感器实用化的关键，一是选择合适的磁性材料，二是针对具体应用采用恰当的电路系统。目前，日本Unitika股份有限公司已能够批量供应这种传感器用的丝材，它是把非晶合金CoFeSiB（λs=-10-7）冷拉成15～30μm直径，以后进行张力退火，在其表层感生出精确的圆周各向异性。也有将Co85Nb12Zr磁膜加工成长条形作传感器和用Co73Si12B15非晶磁膜与铜导体、SiO2绝缘层构成多层结构，做成外铁闭合磁路型传感器的。1997年，T·Kanno等人摸索到利用脉冲电流响应磁阻抗效应的CMOSFET传感器电路；高分辨率线性传感器在传感器电子线路中用负反馈回路，对高稳定开关型传感器则采用正反馈回路。日本爱知制钢公司于2001年用直径30μm长2mmCoFeSiB非晶丝开发出可高密度制造的CMOS型磁阻抗传感器集成电路芯片，2002年又用φ20μm长1μmCoFeSiB非晶丝微机加工成CMOS型磁阻抗传感器集成电路芯片。证明可向市场提供低成本大批量的GMI微型磁传感器产品。这种产品的主要性能指标列于表1，并向其他常用高性能磁传感器产品进行了比较。
2.2 SV-GMR传感器及其陈列
巨磁电阻（GMR）效应，最初是用厚度为数个原子层（数nm）的Fe/Cr多层膜，在4.2K加上1.6×107A/m磁场时发现的，[7]其电阻值的变化（△R/Ro,△R=R11-R1）高达46%，而且有AMR效应的单层金属膜最大才4～6%。1991年Parkin等人用Co/Cu多层膜，在室温下加磁场，使其电阻的变化达到了65%。但是，这种电阻变化所需的磁场太高，难以实用化。后来，改由易磁化自由磁性层（NiFe等）/铜间隔层/难磁化钉扎层（如Co）/反铁磁交换耦合层（FeMn等）组成的所谓SV-GMR结构元件，和CMOS集成电路结合，在高密度HDD机中首先被实际用作读出磁头，接着又开发出实用型高灵敏度磁场传感器。现正在进行使用多个SV-GMR元件的微型磁传感器阵列开发。
2.3 薄膜磁通门磁强计
传统的磁通门磁强计，普遍用来测量1nT～1mT的弱磁场，分辨率可达到0.1nT。它们在航天飞行器姿态控制，探矿、考古、空间磁场探测和深潜探雷等军事活动中得到广泛的应用。
这种传统器件常用两个数厘米大的磁棒成磁环和多匝线圈构成。因而，很难小型化。此外，在使用过程中用手调节，需单独校准，给操作带来不便，成本也高。为此，正在积极开发磁性薄膜微型磁通门器件。
微型磁通门磁强计，系采用微电子技术，即用磁性薄膜、微机加工或标准平面工艺制成的励磁线圈与检测线圈制成。P·Ripka等人在硅基片上电镀上、下两层4μm的坡莫合金作磁芯，用3μm厚铝加工成的2个金属层被夹在坡莫合金层之间。用光刻工艺，使铝形成一个扁平励磁线圈和2个反串联的检测线圈；将坡莫合金膜光刻成4根长0.7mm长条，对称地放置在线圈两边，由它们组成励磁的两通道闭合磁路。整个器件类似一个双磁通门传感器，芯片尺寸只有2.5×4mm2。经检验，用脉冲励磁的噪声是20nTrms，磁滞在1mT以内，6mT磁场冲击引起的打火低于5μT。
磁传感器，就把磁场、电流、应力应变、温度、光等引起敏感元件磁性能的变化转换成电信号，以种方式来检测相应物理量的器件。其实出特点是可以非接触测量，检测信号几乎不受被测物的影响，耐污染、噪声强，即使在很恶劣的环境条件下也能够可靠地工作，坚固耐用，寿命。正因为如此，从防、航空航天到国民经济各个部门，从医疗卫生到类日常生活的诸多方面，都用到了这种传感器。
磁传感器以利用磁铁的指南性作指南针航海为开端。其后，作为感知磁场和磁通的元器件，相继开发出探测线圈，磁通门磁强计，半导体霍尔元件和磁电阻元件，铁磁薄膜各向异性磁电阻（AMR）元器件，还有使用块状铁氧体磁芯的应力传感器，使用热敏铁氧体磁芯的温度传感器，利用亚铁磁石榴石磁光效应的光纤电流传感器，高灵敏度超导量子干涉器件（SQUID），等等。总之，磁传感器的种类甚多，更新换代频繁。
磁传感器通常都是组装在机器、设备内部来使用的。现代整机正迅速向小型轻便、多功能、智能化方向发展，要求所用传感器即使对微小空间内物理量的变化也能够高灵敏度、高速度地做出响应。即在传感器本身需要小型轻量化的同时，还迫切希望提高其工作速度、检测分辨率和灵敏度。
半导体大规模集成电路制造技术、微电子机械系统（MEMS）制造技术、微组装技术的推广应用，磁性薄膜、非晶、多层膜、纳米磁性丝等新材料和平面线圈微磁器件制造工艺及表征手段的不断进步，为磁传感器的小型化、微型化奠定了可靠的基础，应用各种新效应的许多新型高性能、小型化及微型化磁传感器正不断投放市场。早期上市的AMR薄膜敏感元件和传感器，新近推出的GMI传感器、SI传感器、SV-GMR传感器，和即将实用化的薄膜磁通门磁强计、无线磁弹微型传感器阵列，就是其中的典型代表。下面，简单介绍几种微型磁传感器的工作原理、基本结构及主要技术性能。
2 新式微型磁传感器
2.1 高灵敏度GMI和SI微型磁传感器
GMI磁传感器由低磁致伸缩材料和CMOS集成电路构成，利用磁性材料的巨磁阻抗（GMI）效应工作。所谓GMI效应，就是给低磁致伸缩非晶丝或者图形化薄膜元件加上高频（>10kHz）电流时，受外部磁场的作用，敏感元件的磁导率和趋肤效应就随磁场变化，结果，电感和电阻即阻抗发生急剧变化的现象。1992年，名古屋大学教授毛利佳年雄等人最先报导了这一新效应[1]。他们在研究中发现，用快淬富钴非晶丝，经过适当处理后，其阻抗变化率（△Z/Z）可达100～300%。近来，V·Zhukova等人报告，用成分为Co67Fe3.85Ni1.45B11.5Si14.5Mo1.7的非晶细丝，在最佳条件（金属核直径/丝总直径ρ=0.98，在频率f=10MHz，通过电流I=0.75mA）下，由磁场感生的（△Z/Z）max≈615%。[2]另据日本东北大学教授荒井贤一报告，将铜导体（厚3μm,宽0.5mm）夹在非晶磁膜（Co73Si12B15合金：厚2μm，宽2mm，长10mm）中间，并在其间加上SiO2绝缘层，在元件长度方向施加直流外磁场和通过10MHz载波电流时，也可以得到大约600%的阻抗变化率和0.8%（A/m）的电压变化量。
GMI磁传感器实用化的关键，一是选择合适的磁性材料，二是针对具体应用采用恰当的电路系统。目前，日本Unitika股份有限公司已能够批量供应这种传感器用的丝材，它是把非晶合金CoFeSiB（λs=-10-7）冷拉成15～30μm直径，以后进行张力退火，在其表层感生出精确的圆周各向异性。也有将Co85Nb12Zr磁膜加工成长条形作传感器和用Co73Si12B15非晶磁膜与铜导体、SiO2绝缘层构成多层结构，做成外铁闭合磁路型传感器的。1997年，T·Kanno等人摸索到利用脉冲电流响应磁阻抗效应的CMOSFET传感器电路；高分辨率线性传感器在传感器电子线路中用负反馈回路，对高稳定开关型传感器则采用正反馈回路。日本爱知制钢公司于2001年用直径30μm长2mmCoFeSiB非晶丝开发出可高密度制造的CMOS型磁阻抗传感器集成电路芯片，2002年又用φ20μm长1μmCoFeSiB非晶丝微机加工成CMOS型磁阻抗传感器集成电路芯片。证明可向市场提供低成本大批量的GMI微型磁传感器产品。这种产品的主要性能指标列于表1，并向其他常用高性能磁传感器产品进行了比较。
2.2 SV-GMR传感器及其陈列
巨磁电阻（GMR）效应，最初是用厚度为数个原子层（数nm）的Fe/Cr多层膜，在4.2K加上1.6×107A/m磁场时发现的，[7]其电阻值的变化（△R/Ro,△R=R11-R1）高达46%，而且有AMR效应的单层金属膜最大才4～6%。1991年Parkin等人用Co/Cu多层膜，在室温下加磁场，使其电阻的变化达到了65%。但是，这种电阻变化所需的磁场太高，难以实用化。后来，改由易磁化自由磁性层（NiFe等）/铜间隔层/难磁化钉扎层（如Co）/反铁磁交换耦合层（FeMn等）组成的所谓SV-GMR结构元件，和CMOS集成电路结合，在高密度HDD机中首先被实际用作读出磁头，接着又开发出实用型高灵敏度磁场传感器。现正在进行使用多个SV-GMR元件的微型磁传感器阵列开发。
2.3 薄膜磁通门磁强计
传统的磁通门磁强计，普遍用来测量1nT～1mT的弱磁场，分辨率可达到0.1nT。它们在航天飞行器姿态控制，探矿、考古、空间磁场探测和深潜探雷等军事活动中得到广泛的应用。
这种传统器件常用两个数厘米大的磁棒成磁环和多匝线圈构成。因而，很难小型化。此外，在使用过程中用手调节，需单独校准，给操作带来不便，成本也高。为此，正在积极开发磁性薄膜微型磁通门器件。
微型磁通门磁强计，系采用微电子技术，即用磁性薄膜、微机加工或标准平面工艺制成的励磁线圈与检测线圈制成。P·Ripka等人在硅基片上电镀上、下两层4μm的坡莫合金作磁芯，用3μm厚铝加工成的2个金属层被夹在坡莫合金层之间。用光刻工艺，使铝形成一个扁平励磁线圈和2个反串联的检测线圈；将坡莫合金膜光刻成4根长0.7mm长条，对称地放置在线圈两边，由它们组成励磁的两通道闭合磁路。整个器件类似一个双磁通门传感器，芯片尺寸只有2.5×4mm2。经检验，用脉冲励磁的噪声是20nTrms，磁滞在1mT以内，6mT磁场冲击引起的打火低于5μT。