新款集成低噪声放大器 满足日益严苛的市场需求

037的噪声系数相对于频率显示它们的性能明显超过额定的规格。

这两款器件都非常坚固，而且可以承受超过+22 dBm来自阻塞干扰或发射功率漏损的高功率输入信号。它们具有无条件的稳定性，内部匹配至50 ohms，结合了一个有源偏置电路，以确保不同温度条件下的最佳性能。通过数字关闭偏置功能，这两款低噪声放大器满足了不断增长的TDD-LTE市场的需求。这两款低噪声放大器具有灵活性，可以从+3到+5 VDC的偏置电压提供优异性能，无需负电源电压。两个器件互相具有引脚兼容性，采用符合RoHS规范的行业标准的2x2 mm，8引脚DFN封装。只需要4个外部组件—1个电感器(choke)和旁路/阻塞电容器进行运行。两款器件的详细规格请见表1。

表1: 低噪声放大器主要的规格

大多数具有非常低噪声系数的低噪声放大器，都需要一个外部高Q值射频扼流圈(choke)栅极偏置，以保持器件的性能。TriQuint的TQP3M9036和TQP3M9037，扼流器实现在芯片上，这为射频工程师降低了低噪放设计的复杂性。偏置网络通过电流反射镜和电阻反馈，可以在不同温度下保持稳定性，同时提供开关电路实现数字关闭功能。

第一级的低噪声放大器一般由滤波器所包围，这些滤波器都具有带外高度反射性。因此，这些产品的设计还确保了无条件的稳定性，以消除针对这些应用的其他低噪声放大器可能会发生的潜在振荡。采用的设计技巧包括输出电阻性负载和OIP3与增益的权衡、一个输入到输出反馈网络可以提高在较低频率下的稳定性、输出滤波器匹配在演示出不稳定的频率范围内、和源极退化以提高在更高频率下的稳定性。

作者：Tuan Neuyen and Mark Andrews，TriQuint半导体