MEMS传感器创新乏力，拖了物联网的后腿？

作中寻找优势，特别是在一些设备要求或测试操作等方面。目前在测量惯性感测器性能方面还没有被广泛接受的标准，也没有像ITRS路线图那样为设备制造商定义未来需求的手段，Teledyne Dalsa的Jean指出。
　　

"目前在MEMS市场所要求的成本和可用的先进CMOS设备之间存在着巨大的差距。"他认为，"不过，相较于为先进CMOS开发的制程，这还需要更简单且更低成本的TSV制程等技术支援。"
　　

Teledyne Dalsa目前正与Alchimer合作开发低成本的湿式铜制程后钻孔(Via-Last) MEMS TSV途径。Teledyne DALSA的Via-Last技术采用铜钻孔，并利用Alchimer的低温电化学制程，形成具有5微米直径x100微米深完美填充的穿孔，并利用铜再分布层和镍/金UBM连接到外部。但该制程目前仅适用200mm晶圆，因此，"我们需要MEMS制造商和设备与材料供应商之间展开更加密切的合作，共同开发出更低成本的方法来推动创新进展。"他表示。