国内射频“老兵”的新征程

国内射频功放（RF PA）市场曾经的领跑者RDA，过去2年经历了紫光集团的私有化以及与展讯通信的整合，其在产品布局和市场策略上有哪些突破和传承，业界非常关注。记者带着一系列问题采访了锐迪科微电子（后称"RDA"）新任的高级总监焦建堂先生。

焦建堂，半导体行业的绝对前辈，从华为走出来的销售强兵，更是多家芯片设计公司的创始人之一，业内亲切的称他为"焦叔"。2016年春节后在RDA的走马上任，也能看出RDA对射频前端市场的格外重视和坚定决心。

改变与突破

在产品布局方面，RDA已经实现GaAs（砷化镓）和CMOS（硅基）两种不同工艺在2G、3G、4G射频前端产品的全面覆盖。据焦叔介绍，RDA基于CMOS工艺的2G功率放大器（PA）已经开始小批量试产，春节前实现规模量产出货。2G CMOS PA的补齐，使RDA成为了唯一实现产品线全覆盖的本土射频芯片公司。

我们知道，CMOS工艺的优点在于高集成度、低成本，但受限于工艺本身，在高频、高线性度的应用场合中表现并不够出色，但在GSM模式下CMOS PA已经能够达到与GaAs PA相当的性能，并且成本更低。焦叔解释道，不止在纯2G手机中可以使用CMOS PA，3G或者LTE型手机实际上也可以使用CMOS PA技术降低成本。例如，由于LTE频段的多模多频需求，一部4G手机需要2～4颗PA芯片，其中有1颗需要实现向下兼容GSM网络；而使用CMOS工艺生产的GSM PA将有效降低LTE 射频前端模块的成本。目前RDA 的CMOS GSM PA在功耗（PA最核心指标之一）上做到业界最佳（功率增加效率45%-50%），明显优于其他GaAs或CMOS PA供应商的工作效率（功率增加效率35%-40%）。

同时，RDA在射频开关、低噪声放大器产品方面，也完成了产品竞争力（性能、成本、可靠性）的升级。RDA开关产品SW292在三星终端获得大规模应用，更被应用于三星的旗舰机型Galaxy S7和Galaxy S7 Edge中。能够做进三星的旗舰机型，有力地印证了RDA射频产品的性能指标和品控能力已经逐步达到了世界一流水平。焦叔进一步透露，今年RDA为三星专门定制了一款2G/3G/4G高集成度PA模组，已经实现量产；这款产品在与国外厂商的激烈PK中，得到了客户的最终认可，这是国产PA产品的又一个里程碑式的突破。

目前RDA的4G Phase2 PA方案支持高通、联发科和展讯等多个平台，在性能、稳定度和一致性上均获得客户好评。尤其在高通平台上，RDA是最早实现Phase 2 PA量产出货的本土厂商。而支持LTE载波聚合平台的下一代Phase 3产品，预计将于明年春节后推向市场。

Strategy Analytics射频与无线元件总监Christopher Taylor表示，"随着智能手机需要越来越多的LTE频段，推动内建更多RF滤波器与开关的多频段PA出现，为供应商带来更多的手机前端元件商机，从而带动PA市场持续成长至2020年以及5G时代。"在智能手机终端产品中，射频前端模块的比重与日剧增，与主芯片的价值几近平起平坐。焦叔认为"射频产品的市场空间还很大，只要市场足够大，我们坚持创新就有机会取胜"。

对照以Qorvo(RFMD+ TriQunit)、SKYWORKS为首的欧美厂商，在集成化的道路上本土企业似乎走得有些慢。焦叔说，RDA基于5.8GHz的WiFi模块FEM（RWL530x系列）已经将PA、开关和LNA集成为一颗芯片，目前正在大量应用于路由器、平板及车用市场的数据传输产品中。这一系列产品的成功说明了RDA在集成化的产品上是有积累、有实力的。近一年来，RDA还在滤波器产品方向精心投入，集中力量于SAW 滤波器、双工器芯片的研发，为RDA未来的模块化产品做铺垫。

2014年7月，RDA被紫光集团收购回国。RDA射频前端产品线的发展，也站上了一个新的高度。集团在人才和研发上密集投入，把原先不到30人的射频团队扩建成百余人的队伍。通过引进经验丰富的领军人才、购置先进适用的仪器设备、制定严谨高效的设计流程，从而全面铺开射频前端产品的研发。同时在前沿技术方向还和Foundry工厂以及第三方机构开展合作研究，追求技术上的联动创新，立足本土生态圈，通过产业链的上下游打造产品竞争力。反观国内其他射频公司，由于其规模和经营的原因，长期性资金压力较大，不断的融资需求会使公司策略短视化、浮躁化；也出现了一些由于资方间理念差异而导致的阶段性执行力问题，而这些风险最终都可能集中转嫁到客户身上。

焦叔表示："RDA这种稳定资金支持下的高标准、大规模、系统化的产品开发计划，更加适合LTE时代的市场情况，与国内一些友商的情况有本质的不同。这种密集投入