5G将至，哪个半导体厂商能够脱颖而出？

监Amol Kalburge表示，"在6GHz频率以下的应用中，SOI工艺的开关将继续是主流，但SOI开关在毫米波频率的应用研究还不充分，其可发挥的作用与可能遇到的问题还是个未知数。波束成型天线可以支持不同的收发通道，所以在毫米波中有可能不需要天线开关也能实现两个通道的完全隔离。如果毫米波应用仍然需要模拟开关，现在的SOI工艺开关由于插入损耗高，很有可能不可用。SOI工艺的不足将给MEMS工艺开关或其他新技术带来机会。"

另外，硅锗采用8英寸晶圆的标准CMOS制造流程，晶圆代工厂也在持续提高硅锗工艺的性能。例如，GlobalFoundries最近推出的130nm硅锗工艺，其工作频率最高可达340GHz，比旧工艺提高了25%。此外，TowerJazz最近也推出了130nm硅锗工艺。

除了GaAs，业界也在尝试其他的三五价材料来制造PA，例如硅锗。"与制造PA所使用的其他工艺相比，GaAs在效率、线性度和频率范围等方面都有优势，"Strategy Analytics分析师Eric Higham说，"与硅基工艺相比，GaAs工艺的缺点是成本比较高，不易集成。"

Higham表示，GaAs代工厂大部分还采用4英寸晶圆来生产，但是为了降低成本，很多厂商开始把产线升级到6英寸。

在低频段，GaAs HBT的栅极长度通常在0.25至0.5微米之间，"要做到毫米波频率，多数器件厂商会选用栅极长度在0.1至0.15微米的工艺，"Higham说，"Qorvo推出了90nm的GaAs工艺，不过90nm已经是现在量产GaAs工艺的极限尺寸了。"

至于测试和封装这个环节，未能找到更多的相关介绍资料，希望大家补充。

另外包括但不限于高通、博通、Avago、Intel、展讯、联发科、三星、矽品、日月光、TowerJazz、是德和NI等厂商，还有半导体材料、制造、封装产业都是未来5G的重要参与者，受篇幅所限，并没能一一列出，大家最看好谁成为其中最大的受益者？