EDI CON China 2016新增射频绝缘体上硅专题分会及主旨报告

将于4月19-21日在北京国家会议中心举行的EDI CON China 2016（电子设计创新会议）的主办方宣布，GLOBALFOUNDRIES射频业务拓展和产品营销资深总监Peter Rabbeni将在新开设的射频绝缘体上硅（RF SOI）技术专题分会上做题为《RF SOI：革新今天的无线电设计并推动明天的创新》的开幕主旨报告。来自Peregrine Semiconductor、TowerJazz、Simgui、AnalogSmith和上海交通大学的专家也将在RF SOI分会上发表演讲或举办研习会。RF SOI分会的议题包括基材工程、设计的实现、CMOS功率放大器设计和高集成度控制设备。

Rabbeni先生的主旨报告将讲述RF SOI在过去几年中如何在移动射频领域推动收发器和天线的性能改善、成本降低和结构革新，从而实现了高速增长。在近阶段，没有其它射频技术有如此大的影响力。随着无线标准变得越来越具有挑战性以及5G的即将推出，RF SOI有望继续在创新结构的开发方面扮演重要的角色。他的报告将阐述在这个技术领域我们已经走到了哪里、将向何处去。关于RF SOI还可以参考《微波杂志》15年11/12月发表的文章《RF SOI：引起射频系统设计的革命》

EDI CON China 2016最近宣布了中国雷达行业协会主办的会议和中国电工学会主办的电磁兼容大会/展览将与其同期同地举办。主办方预计将有3000多人参会。3天的会议包含80场技术会议和30场企业赞助的研习会以及座谈会。技术会议将按以下主题分为若干分会：射频、微波和高速数字设计，射频/微波建模和测量，EMC/EMI，高速数字建模与测量，系统级测量与建模，系统设计。