美国研发“多层”芯片：将逻辑与存储芯片结合构建

斯·修雷克和托尼·吴制造的四层芯片。制造RRAM和CNT晶体管层都是以低热工艺为基础，所以能在每 层CNT逻辑芯片上直接制造存储芯片层，在制造每层存储芯片层时，能钻数千个与下面逻辑层互相连通的小孔。在传统的电路卡上，就是这种多层互连让多层芯片 能避免"交通拥堵"。

如果用传统的硅基逻辑和存储芯片，无法实现多层间的紧密互连。因为制造硅基存储器要花太多热量，大约要1000℃，这会让下面的逻辑芯片融化。

以往也有人研究堆叠式硅芯片，这会节约空间，但无法避免数据"交通拥堵"。因为每层芯片都要独立制造，并用电线连接——这仍然倾向于拥堵，与研究小组设计的"纳米电梯"是完全不同的。