NXP：4G部署加速 射频器件供应链产能挑战凸显

在去年底国内4G牌照发放后，中国移动和中国电信先后启动了4G商用服务，中国联通也将于近日开启4G业务。工信部通信发展司司长闻库在年初召开的"全球LTE运营发展高峰论坛"上表示，今年全国将有超过300个城市开启4G服务，保守预计至少发展3000万4G用户，乐观预计则会突破5000万。

4G通信的迅速发展，尤其是中国三家运营商4G网络的建设计划，给微波和射频产业带来一个巨大的机遇，同时也是对整个供应链产能的一个挑战.

潘璠分析，大规模的网络规划和建设推动着通信产业不断发展、变化和创新；对高效率的追求,对低成本的要求,也驱动着新一代的高性能方案不断推出以及新材料研发的完善与商业化。

潘璠表示，作为全球领先的射频功率半导体厂商，恩智浦依托行业领先的技术能力，能够提供一流的解决方案以满足LTE、LTE-Advanced和5G通信网络的需求。与此同时，恩智浦也正在积极投入扩充产能和生产效率优化，以应对爆发式的器件需求给器件产业链所带来的巨大压力。

针对下一代无线基站类无线无线基础设施，无论是针对高功率射频应用的LDMOS和GaN，还是针对小信号需求的SiGe和BiCMOS，恩智浦都能够提供非常丰富的全系列的射频解决方案，潘璠介绍说。

宏基站方面，恩智浦能够提供一系列覆盖各个频段、各个功率等级的解决方案。同时，恩智浦也正在积极开发第九代LDMOS（有望今年Q2发布）和针对基站应用的GaN射频功率器件，进一步提升产品的效率、功率密度和散热性能。

微基站方面（SmallCell），恩智浦能够提供一系列覆盖各个频段，各个所需功率等级的解决方案,并且针对SmallCell的特性，能够实现电路尺寸更小、效率更高、更理性的宽带特性等特点，比如双通路MMIC、集成Doherty器件。

在GaN方面，在雷达与对抗领域，恩智浦已经于去年发布几款GaN器件。在2014年，恩智浦将着手开发面向移动通信/基站应用的GaN，侧重于针对移动通信的带宽优化和系统要求的GaN器件，以及更高性价比的设计。

同时，恩智浦还在开发使用GaN开关晶体管的数字功率放大器，可提供比线性放大器更高的效率。这些开关模式功率放大器(SMPA)可用于多频带而无需更改任何硬件，并且将成为推动未来"终极"基站发展的关键因素，潘璠强调。正如恩智浦其他的GaN工艺，0.25μmGHSM工艺采用SiC衬底，具有更佳的可靠度、卓越的射频性能和增强的热管理，进一步突出了坚定地选择GaN的优势。