可调谐RF激活你的LTE投资
线性度
手机 RF前端器件的线性度,通常都是指双频的输入三阶截点(Input Third-Order Intercept Point,IIP3)。RF-MEMS器件一般都是极具线性的,但却对双频的间距有点敏感。两个相近的频调组合创造出电压包络,而其峰值为各频调之电压总和加上两个频调差之间的低拍频变化。若该拍频低于或接近RF-MEMS器件的机械共振频率,就会测得较高的非线性度。正如前述,机械共振会发生在 50-100kHz 区间。故当频调间距在此范围内,MEMS器件的IIP3就约为+70dBm;若频调间距更宽,其线性度就能提升至+80dBm以上。
另外要注意,如果晶粒没有正确接地,则在MEMS器件上的RF走线间与遮蔽下的CMOS电路,就可能产生调变。而此调变现象可能增加非线性度,因此确保晶粒正确接地是非常重要的。
参数指数(FOM)
为了监控及对比最先进的可调谐电容器,这里使用了一般的参数指数(Figure of Merit,FOM)。此 FOM能快速评估所有可调谐电容器技术,检测其损耗范围、电容率、功率承载力(power handling)及成本(晶粒面积)等。
公式(3)
其中:
CR 为电容率:
V2 是电容器两端最大电压的RMS(Root-Mean-Square,均方根值)
Die Area 是指定电容所需晶粒面积
Ron 是接通状态下的总串联电阻
可靠度
除了所有半导体器件都须具备的可靠度条件外,这种接触型MEMS器件还有额外的二类可靠度问题须关注:
• 粘附(Stiction),由两个电容极板形成的联结,无法松开
• 磨损(Wear-out),因长时间重复使用而造成器件特性改变
粘附通常都是随机发生的,且可通过MEMS器件的设计方式来控制,以避免介质表面的金属与金属部分,以及(或)高电场部分有密切接触。目前市面上的最佳器件皆经过仔细设计,可避免驱动器相互接触,而唯一会产生接触现象的区域,就只有电容器部分。因此已可确定不会发生粘附问题。
至于磨损,是器件失效的常见因素,且可通过妥善设计机械MEMS梁(beam)与接触区的方式来控制。完整的产品级数组包含几十个RF-MEMS电容器件,能持续运作超过150 x 106个周期,而一个周期是指每一次客户通过SPI或RFFE接口进行的状态更改。
电压限制
自行驱动
MEMS器件是由集成电荷泵所产生的高阶直流电压所驱动。当此电压通过与电容极板相接的驱动器接头时,极板便会因静电力而被拉在一起。这就是电容从Cmin切换Cmax的原理。
RF信号也是随时间变化形成电压。此电压以RF频率震荡,通常远高于MEMS器件的自我共振频率。因此,RF电压不会“直接”调变MEMS器件。然而,器件是靠包含直流电与二次谐波的电压平方所驱动。这种有效的直流电压,就称为RMS(Root-Mean-Square均方根)电压(见图3)。RF信号的RMS电压若太高,就会造成MEMS器件“自行驱动”,因而造成即使程序要求转为低电容,器件却仍处于高电容状态的问题。要在手机前端达到如此高的电压,就需要高功率,通常要在36dBm以上,而在过滤器中或某些高度不协调的状况下,便可能发生高阻抗共振情形。因此,在RF的最大RMS电压通过驱动器终端时,就必须指定一个电容。
功率与电压的关系就如公式 (4) 所示,其中Z为系统的特性阻抗(通常为50Ω),而Vpeak是RF电压的峰值,如图3所示。RMS电压则可用公式 (5) 算出。
公式(4)
图 3 Vrms 是 RF 信号所产生之直流电压
(若要运用此图,你还需有0电位的基准,以及Vpeak 值)
公式(5)
以50Ω的系统来说,Vrms 就是
自行驱动并不会造成器件毁损。因此,根据电路配置和规格偏差容许度不同,在电压“绝对最大”的状况下,仍有可能再次产生上述的自我驱动现象。
热调谐
RF-MEMS器件会因高电压驱动器产生的静电力而闭合,且会随着驱动电压的移除而打开。一旦静电力消失,梁(beam)的弹力就会将RF-MEMS器件恢复为打开状态。基于各种原因,这种弹力通常会比静电力小。
恢复弹力较低就表示器件一旦闭合后,将只在驱动电压降至“释放电压”以下时才会重新打开。RF-MEMS电容器的释放电压远低于驱动电压,大约只有8V。在一般运作情况下并不构成问题,因为集成电容器驱动程序会彻底移除驱动电压以打开电容器。
若RF信号中的RMS电压通过某个MEMS电容,且该电压超过释放电压,就会造成已驱动的MEMS器件无法打开。这会限制电容器切换至低电容状态时可提供的RF功率。此时的功率等级,又会再次因电路配置和负载阻抗(load impedance)而产生不同程度的问题(VSWR,电压驻波比),因此除非已知电路配置,否则热调谐范围就必须依据RMS释放电压来设定。
在一般的通信系统中,调谐器通常会在数据传送流的暂停期间被重新设定。这就是所谓WCDMA的“压缩模式”,或DTX的一般通信状态。另外,许多需要热调谐的系统都以较低的RMS电压运作,所以一般不需要超出全功率范围的热调谐功能。
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