CMOS PA陷入成本和性能两难，“单芯片手机”梦受阻

        在WLAN应用中BiCMOS功放已逐渐开始取代砷化镓功放，而LTE、WiMAX和WLAN应用相似，它们都使用了正交频分复用(OFDM)技术。高国洪表示：“在4G手机和移动设备中，鉴于硅锗BiCMOS 是一种广泛可用的制造工艺，而目前又在WLAN领域拥有强大的主导地位，所以在手机功放和前端模块产品领域中，硅技术最终将取代GaAs似乎已是大势所趋。”当然他强调,手机中GaAs PA最合逻辑的取代方法是转向硅基技术，而非特定硅CMOS。因为以硅锗BiCMOS为首的硅BiCMOS，具有CMOS的所有成本优势和作为GaAs工艺核心的异质结双极型晶体管(HBT)的性能优点。