超低静态电流LDO稳压器选择要点
时间:06-29
来源:互联网
点击:
进入压降条件下的接地电流消耗。在锂离子电池或锂聚合物电池供电的产品中,常见使用LDO来高能效地对电源稳压,产生3.3 V或3.1 V输出电压。然而,随着电池放电,电池电压衰减,LDO的输入电压VIN可能接近输出电压VOUT,到达LDO稳压器进入压降区的那个点。在这种情况下,市场上的大多数超低IQ LDO将开始消耗明显高得多的接地电流,超出数据表中标出的值。图10所示的不同输入电压条件下的IGND关系图可以说明这一点。
图10:IGND vs. VIN示例。
如图10所示,在压降区,LDO开始消耗多达100 μA电流。为了在功率敏感型应用中解决这个问题,建议增加带可调节迟滞特性的极低功率监控器,用于在负载移除后恢复电池电压。在某些迟滞特性不充足的情况下,带闩锁输出的其它电压检测器可能更适合。但这将导致需要使用按钮或来自电池充电控制器的信息来清除闩锁。
安森美半导体最新世代的超低IQ LDO整合了集成压降条件检测器,可以防止低输入电压条件下接地电流上升。集成了这种理念的器件包括NCP702和NCP4681等。
小结:
传统上,改善LDO稳压器的电流消耗表示要损及动态性能。新的工艺技术及设计技巧带来像安森美半导体提供的系列超低静态电流LDO稳压器能够更好地结合低静态电流和动态性能。本文指出了设计人员在选择LDO时应该顾及的一些因素,包括密切注意LDO数据表,理解器件的具体工作特性,进行根据应用的关键要求选择适合的方案。
表3:安森美半导体超低IQ LDO稳压器产品系列(*表示工作模式可藉AE引脚来选择)
- 如何设计一个合适的系统电源(上)(11-20)
- 如何将CMOS LDO应用于便携式产品中(01-15)
- 用低压差线性稳压器优化开关电源设计(01-18)
- LDO稳压器等效串联电阻的稳定范围(01-24)
- 低电压PLD/FPGA的供电设计(01-24)
- 拥有线性稳压器特性的下一代移动DC-to-DC转换器(02-08)