超低静态电流LDO稳压器选择要点

 电子应用设计人员现今面临的一项极重要挑战是将电子系统能耗降至最低。为了达到此目的，大多数系统利用不同的低功率模式，帮助降低整体功耗。在利用不同工作模式时，系统供电电流差异极大，低者如休眠模式下仅为数微安(μA)或不足1微安，高者如完整功率模式下达数十毫安(mA)甚至数百毫安。低压降线性稳压器(通常简称为LDO)是任何电源系统的常见构建模块，而线性稳压器的选择对系统总体能耗有重要影响。不仅如此，系统设计常常要求LDO不仅具有超低静态电流特性，还应当提供良好的动态性能，确保提供稳定及无噪声的电压输入端，适合敏感电路应用。这些要求还常常相互排斥，为IC设计人员带来切实的挑战。因此，市场上同时满足两方面要求的LDO为数不多。

本文将探讨在选择LDO时需要在提供低IQ与良好动态性能之间进行的折衷，及现时一些能达至可接受的平衡的技巧。

选择LDO时要顾及的因素

为低功率应用选择线性稳压器时，工程师主要搜寻符合他们输入电压及输出电流规格的超低IQ(本文的定义是静态电流IQ<15 μA) LDO。当根据IQ规格来进行选择可提供一些很好的LDO电流消耗相关的初始信息，但IQ相同或近似的两款LDO在动态性能方面可能差异很大。如果我们回想起来IQ的定义是没有施加任何负载条件下的接地电流消耗，那么IQ就变成一个实际参数了。在实际案例中，可能更适宜于查看极轻载条件下的接地电流消耗(数微安至数百微安)。需要说明的是，在评估不同制造商的各种LDO产品后，不难发现数据表中的IQ规格仅针对的是完美的空载条件，而非较真实的10至100μA输出负载。某些时候，知道与输入电压或温度相关的接地电流特性也有实质意义。市场上某些稳压器在输入电压下降时接地电流明显增大，LDO进入其压降区。在选择用于电池供电设备的LDO时，这可能是重要因素。其它意料之外的电流消耗可能对产品有负责影响，大幅缩短电池使用时间。如果应用在大部分时间处于空闲或休眠状态，仅消耗极小电流，这种意料之外的影响就尤为严重了。设计人员应常阅读数据表的IQ规格，而且若有可能，在决定选择某个特定LDO之前，还要审查相关的IQ与ILOAD对比图表。

超低IQ LDO的动态性能参数

影响超低IQ LDO稳压器动态性能参数主要有两项因素。一是使用的技术节点。安森美半导体的大多数超低IQ LDO采用的是先进的CMOS或BiCMOS技术，并提供针对低功耗、高速电源管理IC优化的特定工艺流程。虽然恰当的技术选择必不可少，但很明显的是，这还不能确保LDO稳压器具有良好的动态性能。确定最终性能的第二个关键是设计LDO时应用的设计技术，而这来自于此领域的设计经验。安森美半导体在这个领域拥有40多年的经验，最新世代的器件同时提供超低噪声、良好的电源抑制比(PSRR)及超低IQ。为了详细阐明这一点，下文将探讨不同类型稳压器的动态性能。

图1：MC78LC负载瞬态改善。

不同类型的超低IQ LDO简介

1) 恒定偏置LDO稳压器

传统上的超低IQ CMOS LDO使用恒定偏置(constant biasing)原理。这表示在能够提供的输出电流范围内，接地电流消耗保持相对恒定。如MC78LC或NCP551器件，各自的接地电流IGND(或静态电流IQ)分别为1.5μA和4 μA。这些器件非常适合性能要求相对不那么严格的电池供电应用。它们的主要劣势是动态性能较差，如负载及线路瞬态、PSRR或输出噪声等。通常可以使用较大的输出电容来调节动态性能。图1显示了通过将输出电容由1 μF增加至100 μF来改善MC78LC的负载瞬态过冲及欠冲。

但提升输出电容COUT并不总是能够提供想要的性能，甚至还可能更麻烦，因可能需要增加额外保护二极管，或某些应用要求快速设定时间、小尺寸方案或小浪涌电流。在这些情况下，推荐使用后文提到的一些更新的LDO。

2) 正比例偏置LDO稳压器

为了改善恒定偏置(恒定IGND) LDO较弱的动态性能，一些相对较新器件的接地电流与输出电流成正比例地变化。这样的LDO有如安森美半导体的NCP4681及NCP4624，两者的典型静态电流分别为1 μA和2 μA。图2显示了正比例IGND LDO所使用的概念。这些器件被设计为在输出电流IOUT > 2 mA时IGND开始上升。这就确保LDO在轻载时的电流消耗实际上恒定，符合数据表中的IQ规格。

图2：NCP4681、NCP4624的IGND vs. IOUT。

3) 自适应偏置LDO稳压器

为了同时提供极佳的动态参数及超低IQ，最新代的安森美半导体LDO应用了称作"自适应接地电流"的技术。这些稳压器使用特殊技巧来在某种输出电流电平提升接地电流，而不会损及轻载能效。正因为此，终端应用