WCSP 在克服各种挑战的同时不断发展

造流程的重点开发领域之一是 TSV 蚀刻及电镀步骤（部分或者全部填充）、组件堆叠互连及组装方法（取决于散热预算）、二次成型材料的选择（可产生最小晶圆级和封装级扭曲变形）、兼容二氧化物沉淀和堆叠组件组装工艺的载体晶圆粘合剂的选择以及薄未模塑或模塑晶圆或者薄裸片的承载和出货。

所有这些都要求追加资金实现载体晶圆支持系统，用于接合/剥落器件晶圆或堆叠晶圆配件、芯片到晶圆 (C2W) 抓放或倒装片接合机、晶圆级模机、后端光刻以及氧化物沉积工具等。

正如任何新的封装技术一样，都会面临巨大的可靠性和可制造性挑战。在 WCSP 封装中使用倒装片底层填充和模具复合材料后，封装湿度敏感水平 (MSL) 级别不再是 MSL1。中间过程步骤期间和最终封装级的扭曲控制，对避免出现 SMT 问题至关重要。

TSV 裸片本身的强度较低，其会转化成裸片开裂或者电介质开裂和脱层问题。其他一些潜在的可靠性问题还包括 TSV 氧化物衬垫开裂、CTE 错位带来的空隙、微凸块或互连可靠性以及 RDL 层脱层或线迹开裂等。

结论

对于那些寻求更低成本和更短产品上市时间的一些客户来说，WCSP 具有明显的优势，但却并非没有挑战。随着时间的推移，WCSP 将会不断发展，对它的需求也会不断增加。我们今天面临的挑战正逐一得到克服，为新一代封装铺平了道路——包括集成技术和 3D 结构，它们将会为半导体产品增加更多的功能。

作者简介

David Stepniak 毕业于凯斯西储大学(Case Western Reserve U) ，获电子工程理学士学位，后又毕业于巴特勒大学 (Butler U.)，获 MBA。他现任 TI WCSP 和 3D 封装经理，联系方式：Dallas support bldg., TI Blvd., Dallas, TX 75243 MS 3221; 214-567-9252; d-stepniak@ti.com。

Craig Beddingfield 毕业于美国密西西比州立大学 (Mississippi State U.)，获电子工程理学士学位，现任 TI 无线终端业务封装开发经理。

Chris Manack 毕业于俄克拉荷马大学 (U. of Oklahoma)，获电子工程理学士学位，现任 TI 高性能模拟封装开发工程师。

Rajiv Dunne 先后毕业于印度伯拉理工学院(Birla Institute of Technology & Science (BITS), India)，获机械工程理学士学位；美国波士顿大学 (Boston U.)，获航空航天工程硕士学位；佐治亚理工学院 (Georgia Institute of Technology)，获机械工程博士学位。他现任 TI  封装开发工程师。