六种电流测量方法优劣分析
图6 ,N沟道增强型MOSFET的简化模型 比率式 - 电流检测MOSFET MOSFET由成千上万个能降低导通电阻的并联的晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞,连到共栅极和漏极,但源极是分开的(图7)。这样就产生了第2个隔离的晶体管,即"检测"晶体管。当晶体管导通时,流经检测晶体管的电流与流经其他元胞的主电流成一定比例。 精度公差的范围取决于具体的晶体管产品,低的达到5%,高的可以达到15%到20%。这种方法通常不适合一般要求测量精度达到1%的电流控制应用,但适合过流和短路保护。 图 7 测量方法 精度 隔离 EMI (抗干扰) 鲁棒性 尺寸 成本 电阻式 (直接) 检流电阻 高 否 高 高 小 低 晶体管 (直接) RDS(ON) 低 否 中 中 小 低 比率式 中 否 中 中 小 中 磁(间接) 电流互感器 高 是 中 高 大 中 罗氏线圈 高 是 中 高 大 中 霍尔效应 高 是 高 中 中 高 从上面的总结表可以看出,探测电路中电流的方法有很多种,要根据应用特定的需求来选择合适的方法。每种方法均有其优点和短板,这些因素都要在设计中加以仔细考量。 作者:Bryan Yarborough Bryan Yarborough现任Vishay Intertechnology公司Vishay Dale品牌的产品营销工程师,擅长于SMD Power Metal Strip Strip®和绕线式产品。此前他曾在TT Electronics IRC、Saft Batteries和Corning Cable Systems公司任职。Yarborough先生拥有计算机科学理学士学位和工商管理硕士学位。
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