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六种电流测量方法优劣分析

时间:04-20 来源:3721RD 点击:

图6 ,N沟道增强型MOSFET的简化模型

比率式 - 电流检测MOSFET

MOSFET由成千上万个能降低导通电阻的并联的晶体管元胞构成。检流MOSFET使用一少部分并联元胞,连到共栅极和漏极,但源极是分开的(图7)。这样就产生了第2个隔离的晶体管,即"检测"晶体管。当晶体管导通时,流经检测晶体管的电流与流经其他元胞的主电流成一定比例。

精度公差的范围取决于具体的晶体管产品,低的达到5%,高的可以达到15%到20%。这种方法通常不适合一般要求测量精度达到1%的电流控制应用,但适合过流和短路保护。

图 7

测量方法

精度

隔离

EMI (抗干扰)

鲁棒性

尺寸

成本

电阻式 (直接)

检流电阻

晶体管 (直接)

RDS(ON)

比率式

磁(间接)

电流互感器

罗氏线圈

霍尔效应

从上面的总结表可以看出,探测电路中电流的方法有很多种,要根据应用特定的需求来选择合适的方法。每种方法均有其优点和短板,这些因素都要在设计中加以仔细考量。

作者:Bryan Yarborough

Bryan Yarborough现任Vishay Intertechnology公司Vishay Dale品牌的产品营销工程师,擅长于SMD Power Metal Strip Strip®和绕线式产品。此前他曾在TT Electronics IRC、Saft Batteries和Corning Cable Systems公司任职。Yarborough先生拥有计算机科学理学士学位和工商管理硕士学位。

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