罗姆在“功率元器件”的发展与“电源IC技术”的变革

如上所述，罗姆不断推进元器件的小型化，在部件的小型化、整机产品的小型化、减少废弃物、减少CO₂排放量等各个环节做出了贡献。

另外，作为最新的小型产品，还有融合了IC外围部件的一体化封装电源。这是一款内置了IC外围部件的产品，是超紧凑型的且支持盘带安装的、用于IC汇编器的超小型模块。罗姆将其定位为新一代IC封装之一，并为实现其量产化投入力量。该产品采用内置基板技术，不仅可搭载外围部件、可与IC连接，还可减少面积。使用一体化封装电源的整机产品设计人员，可以享受减少安装面积、优化布局减小开关尺寸、使用简单等优点，从而可倾全力于设计。另外整机产品的采购担当人员可以减少零部件数量，使日益增加的零部件变得更加干净整齐。

在面向安装面积要求苛刻的智能手机方面，罗姆开发出了两种产品。

第一种是搭载了上述介绍的BU900xx系列的降压式电源BZ6AxxGM系列。该系列产品在减少面积的同时将高度控制在1mm。这是实现世界最小^※级别2.9×2.3mm的紧凑型支持650mA输出电流的产品。

第二种是升压电源BZ1AxxGM（该产品目前尚在开发中）系列。可作为升压电源和升降压电源使用，是实现了仅为2.3×2.4mm的世界最小^※尺寸的产品。当然，高度也是1mm。

该系列产品的使用方法多种多样。例如，在用锂离子电池（2.7-4.2V）制作5V电压的电路中，使用这种一体化封装电源，可轻松作为USB电源、HDMI电源、LED手电筒电源而使用。

[图8]一体化封装电源系列



※：根据罗姆调查（截至2012年11月13日）

另外，为了在锂离子电池环境下使用仅可在5V电压下使用的IC，采用BZ1AxxGM系列也是有效的手段。输入电压范围较宽的IC为了适应锂离子电池较宽的电源电压范围，需要牺牲的特性也为数不少。而不失去这些特性的手段之一就是利用BZ1AxxGM系列制作的5V电压。

一体化封装电源是作为"所有的部件集成于1枚芯片"的IC连接目标的中间产品。我们预想，电源部所使用的高耐压和大电流的功率元器件、大容量电容及支持大电流的线圈确实无法在21世纪单芯片化。罗姆积极致力于走在22世纪前端的一体化封装电源的开发，敬请期待未来罗姆具有前瞻性的的产品阵容。

今后

而在罗姆提出的四大发展战略^注13中，其中之一便是"强化以SiC为核心的功率元器件产品"。其实，罗姆在功率元器件领域的不断发展中，为推进节能减排，罗姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）为原材料的产品的研发，并已陆续推出了适用于不同业界的各种解决方案，利用高新技术将这两种"理想器件"植入生活的各个层面。通过在高效化、大电流化、高耐压化、小型化、模块化等各个方面的研发，带来更多精彩的呈现。

即将于2012年11月16~21日在深圳举办的第十四届高交会电子展上，您将在罗姆展台上看到在这里介绍的功率元器件和电源IC等众多产品，欢迎莅临现场，亲身体验！

＜术语解说＞

注1：SJ-MOSFET

超级结MOSFET的缩写。即超级结金属氧化物场效应三极管。

注2：MOSFET

Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写。即金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

注3：双极晶体管

又称双极型晶体管(Bipolar Transistor)，由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

注4：肖特基势垒二极管（SBD）

肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode,缩写成SBD）是一种热载流子二极管。

注5：快速恢复二极管（FRD）

快速恢复二极管（Fast Recovery Diode,缩写成FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

注6：二极管(Di)

又称晶体二极管,简称二极管(Diode,缩写成Di)，是一种具有单向传导电流的电子器件。

注7：齐纳二极管

又称稳压二极管,是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

注8：SiC

Silicon Carbide的缩写。即碳化硅，是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

注9：GaN

即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。

注10：LDO

Low Dropout Regulator的缩写。即低压差线性稳压器。

注11：DC/DC转换器

是转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。

注12：FET

Field Effect Transistor的缩写。场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

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