功率元器件的发展与电源IC技术的变革四

　　而在罗姆提出的四大发展战略注13中，其中之一便是“强化以SiC为核心的功率元器件产品”。其实，罗姆在功率元器件领域的不断发展中，为推进节能减排，罗姆也一直致力于以新一代元件碳化硅（SiC），氮化镓（GaN）为原材料的产品的研发，并已陆续推出了适用于不同业界的各种解决方案，利用高新技术将这两种“理想器件”植入生活的各个层面。通过在高效化、大电流化、高耐压化、小型化、模块化等各个方面的研发，带来更多精彩的呈现。

　　＜术语解说＞

　　注1：SJ-MOSFET

　　超级结MOSFET的缩写。即超级结金属氧化物场效应三极管。

　　注2：MOSFET

　　Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor的缩写。即金属-氧化层-半导体-场效晶体管，简称金氧半场效晶体管，是一种可以广泛使用在模拟电路与数字电路的场效晶体管。

　　注3：双极晶体管

　　又称双极型晶体管（Bipolar Transistor），由两个背靠背PN结构成的具有电流放大作用的晶体三极管。

　　注4：肖特基势垒二极管（SBD）

　　肖特基势垒二极管（Schottky Barrier Diode，缩写成SBD）是一种热载流子二极管。

　　注5：快速恢复二极管（FRD）

　　快速恢复二极管（Fast Recovery Diode，缩写成FRD）是一种具有开关特性好、反向恢复时间短特点的半导体二极管。

　　注6：二极管（Di）

　　又称晶体二极管，简称二极管（Diode，缩写成Di），是一种具有单向传导电流的电子器件。

　　注7：齐纳二极管

　　又称稳压二极管，是一种直到临界反向击穿电压前都具有很高电阻的半导体器件。

　　注8：SiC

　　Silicon Carbide的缩写。即碳化硅，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。

　　注9：GaN

　　即氮化镓，属第三代半导体材料，六角纤锌矿结构。

　　注10：LDO

　　Low Dropout Regulator的缩写。即低压差线性稳压器。

　　注11：DC/DC转换器

　　是转变输入电压后有效输出固定电压的电压转换器。

　　注12：FET

　　Field Effect Transistor的缩写。场效应晶体管，简称场效应管。由多数载流子参与导电，也称为单极型晶体管。属于电压控制型半导体器件。

　　注13：四大发展战略

　　2008年罗姆于创立50周年之际，面向未来50年提出发展战略。其中包括：

　　（1）相乘战略：罗姆将融合模拟IC及LAPIS Semiconductor的数字LSI技术，开拓汽车、工控市场。

　　（2）功率元器件战略：以SiC为核心的元器件技术及依据功率IC的控制技术，以及将二者合二为一的模块技术，融合这三项技术，不断为节能环保做出贡献。

　　（3）LED战略：以LED照明为核心，从LED贴片、驱动IC到电源模块提供综合性LED综合解决方案。

　　（4）传感器战略：罗姆于2009年将MEMS加速度传感器的供应商Kionix公司纳入集团，以世界顶级的产品阵容，满足传感器市场的各种需求。