聚焦“SiC”与“GaN”—新一代功率元器件的前沿

GaN-HEMT来说，棘手的问题是电流崩塌。这是根据漏极电压的施加状态导通电阻发生变动的现象。可以观测到使开关频率变化时导通电阻变动、在Vds导通（ON）时无法完全为0V、关断（OFF）时无法返回到施加电压的现象。

罗姆的"常开型(normally-on)"元器件使栅极电压的开关频率变化时的Vds表现如图3所示。由于没有优化栅极驱动器，在10MHz存在duty没有达到50%的问题，但在这个频率范围内，没有发现引起电流崩塌的趋势。因此，可以认为，只要解决"常开(normally-on)"这一点，即可证明GaN卓越的高速动作性能。

今后：罗姆将积极推进常关型元器件的特性改善并进行应用探索

面向GaN元器件的发展，正因为几乎所有的应用都是以"常关"为前提设计的，因此"常关化"的推进成为了时下的当务之急。如今罗姆正致力于推进高频特性卓越的常关型元器件的特性改善，同时也在进行应用探索。为呈现出GaN最闪耀的应用和只有GaN才能实现的应用而加大开发力度，将不断带来全新的技术体验。

在2012年11月16~21日于深圳举办的第十四届高交会电子展上，您将在罗姆展台上看到在这里介绍的以SiC功率元器件为首的众多功率器件产品，欢迎莅临现场，亲身体验！